ZXMN10A07FTA

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否正在寻找一颗能在100V高压下稳定工作，同时又能将空间占用和功耗降至最低的N沟道MOSFET？答案或许就藏在ZXMN10A07FTA这颗精巧而强大的芯片之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。

想象一下，在您的电源管理模块中，无论是DC-DC转换器还是负载开关，这颗芯片凭借其高达100V的漏源电压和700mA的连续漏极电流，都能游刃有余地处理能量转换任务。其低至700毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的电池续航。这种高效能表现，让它在便携设备、电池供电系统以及各种需要精密电源控制的场景中大放异彩。从智能家居的传感器节点到工业自动化中的控制单元，ZXMN10A07FTA都能确保稳定可靠的开关性能，为您的产品注入持久动力。

选择ZXMN10A07FTA，就是选择了一种经过市场验证的卓越平衡。它采用经典的SOT-23-3封装，在提供强大电气性能的同时，最大限度地节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度电路板设计。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，大大提升了终端产品的可靠性和环境适应性。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体性能更上一层楼。当您需要可靠、高效且具成本效益的MOSFET解决方案时，从值得信赖的DIODES一级代理处获取这颗芯片，无疑是加速项目成功、打造差异化产品的明智之选。

• 型号:ZXMN10A07FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:138 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的电路板寻找一颗性能强劲的“能量开关”吗？ZXMN10A07FTA正是为您而来。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，集100V耐压与700mA电流能力于一身，却仅占用微小的SOT-23-3封装面积，让您轻松实现高功率密度设计。

它的核心价值在于高效与可靠。极低的导通电阻（典型值700mΩ @10V）能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统效率，延长电池寿命。同时，优化的栅极特性让驱动更简单，开关更迅速。无论是用于电源路径管理、电机驱动，还是信号切换，它都能让您的产品运行更稳定、更节能。