DMT31M7LPS-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当您需要一款能在紧凑空间内稳定输出强大电流的开关器件时，DMT31M7LPS-13的出现，正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数，重新定义了30V/30A应用场景下的效率标杆，让您的产品在激烈的市场竞争中率先赢得能效优势。

想象一下，在服务器电源、高性能计算主板或高密度DC-DC转换模块中，每一瓦的损耗都意味着额外的散热成本和潜在的系统不稳定。DMT31M7LPS-13凭借其低至1.7毫欧的导通电阻（Rds(on)），在20A电流、10V驱动电压下将导通损耗降至极低水平，直接转化为更低的温升和更高的整体系统效率。其高达100A（Tc）的连续漏极电流承载能力，配合PowerDI5060封装优异的散热特性，确保了即使在最严苛的负载条件下也能游刃有余，让您的设计拥有充足的性能余量，从容应对峰值功率需求。

无论是用于同步整流、电机驱动，还是负载开关，这颗芯片都能无缝融入您的架构。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）赋予了产品无与伦比的环境适应性，从工业自动化设备到户外通信基站，都能稳定可靠地运行。选择DMT31M7LPS-13，不仅仅是选择了一个高性能的MOSFET，更是选择了一种提升产品竞争力、降低全生命周期成本的可靠路径。当您需要获取这款芯片或专业的技术支持时，可以随时联系我们的DIODES代理商，他们将为您提供从选型到供应的全方位服务。

归根结底，在元器件选型时，卓越的性能、可靠的品质和高效的供货同样重要。DMT31M7LPS-13集低导通电阻、高电流能力、快速开关特性和坚固的封装于一身，为您省去了在性能、尺寸和可靠性之间艰难权衡的烦恼。它不仅仅是一个组件，更是您打造下一代高效、紧凑、可靠电力电子产品的强大基石。立即将它纳入您的设计，亲身体验它所带来的变革性力量。

• 型号:DMT31M7LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5741 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您是否正在寻找一颗能大幅提升开关电源效率、同时节省宝贵PCB空间的“核心动力”？DMT31M7LPS-13正是您的理想之选。这款N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达30A（Ta）/100A（Tc）的连续电流能力，其核心魅力在于超低的1.7毫欧导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用先进的PowerDI5060-8表面贴装封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积，非常适合高密度电源设计。无论是用于同步整流提升DC-DC转换器效率，还是作为电机驱动和负载开关中的关键开关元件，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率控制。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更能确保您的产品在各种严苛环境下稳定运行。