DMP213DUFA-7B

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您是否还在为如何在小空间内实现稳定可靠的电源切换而烦恼？答案或许就藏在这颗微小的芯片之中。DMP213DUFA-7B，这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化空间布局、增强系统可靠性的得力助手。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理设计，它能在严苛的应用环境中稳定工作，将复杂的电源管理难题化繁为简。

想象一下，在您的手持设备、可穿戴电子产品或物联网传感器模块中，空间何其宝贵。DMP213DUFA-7B以其超紧凑的X2-DFN0806-3封装，几乎不占用任何宝贵的电路板面积，让您的设计可以更加自由、更加纤薄。无论是用于电池供电设备的负载开关，还是信号路径的隔离，它都能以极低的导通电阻和栅极电荷，实现高效、快速的开关动作，最大限度地减少能量损耗，从而显著延长电池续航时间。这种高效能直接转化为您终端产品的核心竞争优势更长的使用时间，更佳的用户体验。

选择DMP213DUFA-7B的理由清晰而有力。它提供了高达25V的漏源电压和145mA的连续漏极电流，足以应对多种低压应用场景的需求。其低至1.5V的栅极阈值电压和仅需2.7V驱动电压即可实现良好导通性能的特性，使其能够轻松兼容各类低电压逻辑电路和微控制器GPIO口，简化了您的驱动电路设计。宽广的工作温度范围从-55°C到150°C，确保了它在从寒冷户外到高温机箱内的各种环境下都能稳定如一。当您需要可靠、高效且节省空间的电源管理解决方案时，DIODES中国代理将是您获取这颗优质芯片、获得专业技术支持的最佳伙伴。让DMP213DUFA-7B成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效能、高可靠性的设计新篇章。

• 型号:DMP213DUFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.2 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的负载开关MOSFET吗？DMP213DUFA-7B正是为您量身打造的解决方案。这颗P沟道MOSFET能为您高效地控制电路的通断，其低至10欧姆的导通电阻和微小的栅极电荷，让您的系统开关动作又快又省电，显著提升能效。

它让您轻松应对空间受限的设计挑战。超小的3DFN封装几乎不占地方，同时支持高达25V电压和145mA电流，工作温度横跨-55°C至150°C，可靠性极高。无论是用于便携设备的电源管理，还是信号链路的精密切换，它都能稳定胜任，是您实现紧凑、高效、可靠电路设计的理想选择。