ZXMC4A16DN8TC

想象一下，当您的下一个设计需要在紧凑空间内实现高效、可靠的双向功率控制时，您是否正在寻找一颗能同时驾驭N沟道与P沟道，且性能卓越的“全能选手”？答案就在这里ZXMC4A16DN8TC。这颗来自Diodes Incorporated的互补型MOSFET阵列，正是为满足现代电子设备对高集成度与高效率的严苛要求而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、简化电路布局、加速上市进程的战略性选择。

无论是为便携式设备的电池管理系统提供精密的充放电保护，还是在电机驱动电路中实现平滑的H桥控制，ZXMC4A16DN8TC都能游刃有余。其逻辑电平门控特性，意味着它可以直接与微控制器等低压逻辑电路无缝对接，省去了繁琐的电平转换电路，让您的设计更加简洁。在电源转换模块中，其低至50毫欧的导通电阻能显著降低导通损耗，提升整体能效，让设备运行更凉爽、续航更持久。对于空间受限的物联网传感器、可穿戴设备或是高密度服务器电源，其8-SOIC的紧凑封装和表面贴装形式，无疑是节省PCB面积的理想解决方案。

选择ZXMC4A16DN8TC，就是选择了一份经过验证的可靠性与卓越的性能价值。它集成了N和P沟道MOSFET于一体，提供了高达40V的耐压和超过4A的连续电流处理能力，覆盖了广泛的中低压应用场景。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在极端环境下的稳定运行，为您的产品品质提供了坚实保障。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的DIODES代理商，您依然可以获取库存或找到完美的替代与升级方案，确保供应链的连续性与设计项目的顺利推进。让这颗高效集成的功率芯片，成为您打造下一代创新产品的强大引擎。

• 型号:ZXMC4A16DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 5.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Ta），4.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V，60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250mA（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770pF @ 40V，1000pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• 想获取ZXMC4A16DN8TC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的空间和效率发愁吗？ZXMC4A16DN8TC这颗互补MOSFET阵列芯片，就是为您解决这些痛点的得力助手。它将N沟道和P沟道MOSFET集成在一个小巧的8-SOIC封装内，让您轻松实现H桥驱动、电源路径切换等复杂功能，同时大幅节省宝贵的PCB面积。

得益于其逻辑电平门控和低至50毫欧的导通电阻，它能让您高效地控制最高40V电压、4A以上的电流，显著降低功率损耗和发热。无论是提升便携设备的电池管理效率，还是优化电机驱动的响应速度，它都能让您的设计更简洁、性能更出色、产品更具竞争力。