BFS17NTA

您是否正在为高频信号处理电路寻找一颗性能稳定、尺寸精巧的射频晶体管？在追求更高集成度和更优成本效益的今天，BFS17NTA的出现，正是为满足现代电子设计对高频、高效、高可靠性的严苛要求而生。这颗来自Diodes Incorporated的NPN射频晶体管，以其高达3.2GHz的卓越跃迁频率和紧凑的SOT-23-3封装，为您打开了通往高性能射频前端设计的大门，让您的产品在信号清晰度与系统稳定性上快人一步。

想象一下，在您的无线耳机、蓝牙模块、智能家居传感器或便携式医疗设备中，BFS17NTA正扮演着信号放大与处理的关键角色。它能在高达150°C的结温下稳定工作，轻松应对各种严苛环境，确保从消费电子到工业控制领域的广泛应用都能获得纯净、强劲的信号。其11V的集射极击穿电压和50mA的集电极电流能力，为您的低功耗、高增益放大电路提供了坚实的保障，让信号传输既高效又安全。

选择BFS17NTA，意味着您选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。它不仅提供了出色的高频性能和宽温工作范围，其微小的SOT-23-3封装更是为PCB布局节省了宝贵空间，助力产品实现更轻薄、更紧凑的设计。更重要的是，通过正规的DIODES授权代理渠道进行采购，您能确保获得原装正品、稳定的供货以及专业的技术支持，彻底规避供应链风险，让您的项目从研发到量产全程无忧。这颗芯片的价值，远不止于参数表上的数字，更在于它为您产品带来的整体性能提升与市场竞争力。

• 型号:BFS17NTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极射频晶体管
• 描述:RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT-23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:11V
• 频率 - 跃迁:3.2GHz
• 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:-
• 增益:-
• 功率 - 最大值:330mW
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:56 @ 5mA，10V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50mA
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 想获取BFS17NTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为射频放大电路的选择而犹豫吗？让BFS17NTA来为您解决难题！这颗高性能NPN射频晶体管，专为需要出色高频响应的应用而设计。其高达3.2GHz的跃迁频率，能让您的无线信号放大、混频或振荡电路工作得更加流畅、高效，轻松捕捉并处理每一个细微的信号。

它集成了11V的耐压、50mA的电流驱动能力以及宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保您的设计在各种环境下都能稳定可靠地运行。采用标准的SOT-23-3表面贴装封装，让您能够轻松实现高密度的PCB布局，显著节省空间与成本。选择BFS17NTA，就是选择了一个让您的射频设计更简单、更强大的得力助手。