ZXMN10A25K

当您的下一个设计项目需要一颗在100V电压下稳定输出4.2A电流的可靠开关时，您会如何选择？答案或许就藏在ZXMN10A25K这颗性能卓越的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、确保长期稳定运行的得力助手。在竞争激烈的市场中，选择一款导通电阻低至125毫欧的功率器件，意味着您的产品在能效和发热控制上已经赢在了起跑线，为终端用户带来更持久的续航和更冷静的运行体验。

想象一下，无论是紧凑型的电源适配器、高效的电机驱动模块，还是需要精密控制的负载开关应用，ZXMN10A25K都能轻松融入。其TO-252-3（DPAK）的表面贴装封装，非常适合自动化生产，能大幅提升您的装配效率和产品一致性。在-55°C到150°C的宽广结温范围内，它都能保持稳定性能，这让您的设备能够从容应对从工业严苛环境到消费电子日常使用的各种挑战，极大地拓展了设计的边界和产品的可靠性。

那么，为什么众多工程师信赖并选择它？核心在于其出色的价值平衡。它提供了专业级应用所需的100V耐压和4.2A连续电流能力，同时通过优化的栅极电荷（仅约17.16nC）实现了快速的开关响应，有效降低了开关损耗。这意味着您的系统不仅能“跑得快”，还能“耗得少”。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量把控的原装现货，为您的经典产品线或特定项目提供持续、稳定的供应保障，彻底解决您的后顾之忧。

• 型号:ZXMN10A25K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:859 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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您是否正在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关解决方案？ZXMN10A25K正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和4.2A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值125毫欧@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的TO-252-3封装，易于焊接和散热，非常适合空间紧凑的现代电子产品设计。优异的开关特性（低栅极电荷）让您能轻松实现快速切换，提升整体系统响应速度。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是其他功率管理任务，ZXMN10A25K都能以稳定的表现，助您构建出更节能、更可靠的终端产品。