ZVNL110GTA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现高效控制的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案ZVNL110GTA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和600mA的连续漏极电流能力，为您的设计注入强大而可靠的动力。它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、简化电路布局、降低整体系统成本的关键钥匙。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或是负载开关应用中，ZVNL110GTA能够轻松胜任。其仅需5V至10V的低驱动电压即可实现优异的导通性能（最大导通电阻仅3欧姆@500mA, 10V），这意味着您可以直接使用微控制器或逻辑电平信号来驱动它，无需复杂的电平转换电路，大大简化了设计。无论是为便携设备提供高效的电源路径管理，还是在工业自动化设备中精准控制小型电机，它都能确保快速响应和极低的功率损耗，让您的终端产品运行更安静、更持久、更可靠。

选择ZVNL110GTA，就是选择了一份卓越的价值承诺。其紧凑的SOT-223封装在节省宝贵PCB空间的同时，提供了高达1.1W的功率耗散能力，确保了在-55°C至150°C的严苛工作温度范围内稳定运行。更低的输入电容（最大75pF @ 25V）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体效率。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，请认准官方授权的DIODES一级代理，他们能为您提供从选型到量产的全方位支持。让ZVNL110GTA成为您下一个成功产品的坚实基石，开启高效、紧凑、可靠的电子设计新篇章。

• 型号:ZVNL110GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取ZVNL110GTA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的开关控制寻找一颗“得力干将”吗？ZVNL110GTA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能为您高效地切换高达100V电压、600mA电流的负载，其低至1.5V的阈值电压和优异的导通特性，让您仅用微弱的控制信号就能轻松驾驭它，实现精准的电源通断或电机启停。

它采用节省空间的SOT-223封装，却拥有强大的散热能力，确保您能在紧凑的设计中实现稳定可靠的高性能。无论是提升能效、简化设计还是增强可靠性，ZVNL110GTA都能让您的产品脱颖而出。