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MMBZ5235BT-7-F的图片

MMBZ5235BT-7-F

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分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:DIODE ZENER 6.8V 150MW SOT523
原厂封装:封装:SOT-523
优势价格,MMBZ5235BT-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MMBZ5235BT-7-F的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致稳定性的电子设计中,您是否曾为电压波动带来的系统风险而困扰?当精密电路需要一个可靠的电压基准或保护屏障时,MMBZ5235BT-7-F正是您值得信赖的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的精密齐纳二极管,以其6.8V的精准稳压能力和±5%的严格容差,为您的设计注入了一剂强心针。它不仅仅是一个元件,更是系统稳定运行的守护者,能将瞬态电压和噪声干扰牢牢钳制,确保核心电路在复杂环境中依然保持精准与可靠。

想象一下,在便携式消费电子、物联网传感器模块或精密的电源管理单元中,空间极其有限,但性能要求却分毫不能妥协。DIODES一级代理为您提供的这款MMBZ5235BT-7-F,凭借其超紧凑的SOT-523封装,能够轻松融入高密度PCB布局,为您的迷你化设计腾出宝贵空间。无论是用于电压钳位、基准电压源,还是作为瞬态电压抑制器,它都能在-65°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作,从容应对从极寒到酷热的严苛环境挑战,让您的产品在各种应用场景下都游刃有余。

选择MMBZ5235BT-7-F,就是选择了一份经得起考验的卓越性能。其低至5欧姆的最大阻抗和仅3A@5V的反向泄漏电流,意味着它在提供坚固保护的同时,自身功耗极低,不会成为系统能效的负担。高达150mW的功率处理能力,确保了它在应对常见电压浪涌时拥有充足的余量。更重要的是,它代表了Diodes品牌一贯的高品质与可靠性,是您简化物料清单、提升整体设计可靠性的明智之选。让这颗高效能的小巧卫士,成为您下一款成功产品中不可或缺的稳定基石。

  • 型号:MMBZ5235BT-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-523
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.8V 150MW SOT523
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-523
  • 供应商器件封装:SOT-523
  • 想获取MMBZ5235BT-7-F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的电压基准不够精准稳定而烦恼吗?MMBZ5235BT-7-F正是您需要的答案。这颗精密齐纳二极管能为您提供精准的6.8V稳压,容差严格控制在±5%以内,让您的设计基准始终如一,告别电压漂移带来的性能不确定性。

它不仅能作为可靠的电压基准,更能高效地执行电压钳位和瞬态抑制任务。其极低的反向泄漏电流和正向压降,让您轻松实现高效能、低功耗的系统设计。同时,超小的SOT-523封装让您能在空间受限的便携设备或高密度模块中灵活布局,大幅提升设计自由度。

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