ZXM64N035GTA

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高效开关与出色热性能的MOSFET，将如何彻底改变您的设计。现在，答案就在ZXM64N035GTA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其35V的耐压和高达6.7A（Tc）的连续漏极电流能力，为您打开了通往更高功率密度和更可靠运行的大门。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的电机驱动，还是需要精密控制的负载开关应用，ZXM64N035GTA都能完美融入。其低至50毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，让您的系统运行更“冷静”，电池续航更持久。在空间受限的便携设备、智能家居控制器或工业自动化模块中，其SOT-223封装提供了优异的散热能力与占板面积的最佳平衡，让高性能不再以牺牲空间为代价。

选择ZXM64N035GTA，就是选择了一份经过市场验证的可靠性。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下依然稳定如一。其优化的栅极电荷（仅27nC）和输入电容，让开关速度更快，驱动更轻松，直接提升了系统的整体响应频率和效率。当您需要为现有或新项目寻找一个强大、可靠的功率开关解决方案时，这颗芯片提供的正是您所期待的价值以更少的损耗，传递更多的能量。如需获取此优质元器件，我们推荐您联系专业的DIODES代理商，他们能为您提供全面的技术支持与供应保障。

• 型号:ZXM64N035GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:35 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta），6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又小巧的“核心开关”吗？ZXM64N035GTA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有35V耐压和强劲的6.7A（Tc）电流处理能力，其超低的导通电阻（典型值50毫欧）能显著减少导通损耗，让您的产品效率飙升，发热量大幅降低。

得益于SOT-223封装优异的散热特性，它能让您在紧凑的PCB空间内实现高达2W的功率耗散，轻松应对高密度设计挑战。无论是快速开关的DC-DC电路，还是电机驱动中的脉冲控制，其优化的栅极特性都能让您实现更迅捷、更干净的开关动作，从而提升整个系统的响应速度与能效表现。