ZVN4525GTC

当您的设计需要在紧凑空间内实现高效、可靠的功率开关时，您是否曾为寻找一颗性能与体积完美平衡的MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍来自Diodes Incorporated的ZVN4525GTC，这颗N沟道MOSFET以其卓越的250V高耐压和310mA连续漏极电流能力，为您的小型化、高性能应用注入强大动力。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品可靠性、简化设计流程、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在那些对空间和效率都极为苛刻的场景中，ZVN4525GTC正大显身手。无论是需要精密电源管理的便携式设备，还是要求稳定信号切换的通信模块，亦或是各类辅助电源和DC-DC转换电路，这颗芯片都能凭借其出色的性能参数游刃有余。其仅2.5V的低驱动电压门槛，让它在微控制器或低功耗逻辑电路的直接驱动下也能高效导通，大大简化了您的驱动级设计。而高达±40V的栅源电压容限，则为您的系统提供了坚固的防过压屏障，确保在复杂工况下的长期稳定运行。

选择ZVN4525GTC，就是选择了一份安心与高效。其SOT-223封装在保证出色散热能力（最大功耗2W）的同时，实现了极佳的板级空间利用率，让您的PCB布局更加灵活优雅。极低的栅极电荷（仅3.65nC）和输入电容（72pF）意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接提升了系统的整体能效和响应速度。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下的卓越表现，让您的产品无惧挑战。当您需要可靠的货源和专业的技术支持时，我们的DIODES芯片代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的一站式服务，助力您的创意快速落地，抢占市场先机。

• 型号:ZVN4525GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):310mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为寻找一颗能兼顾高压、小电流开关性能与紧凑封装的MOSFET而费神吗？ZVN4525GTC正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有250V的坚固耐压和310mA的稳定电流处理能力，让您在设计低功率开关电路、信号隔离或辅助电源时信心十足。

它最大的魅力在于“高效易用”。仅需2.5V的低驱动电压即可高效导通，让您能轻松使用MCU直接驱动，省去复杂的电平转换电路。同时，其SOT-223封装在提供优异散热性能的同时，极大节省了宝贵的电路板空间。无论是提升现有产品的能效，还是为创新设计寻找可靠的核心开关，ZVN4525GTC都能以出色的性能和稳定性，助您一臂之力。