BSS123TA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能承受高压、又能实现精准高效开关控制的微型MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们隆重介绍BSS123TA这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和仅为170mA的连续漏极电流，在微功率开关领域树立了新的标杆。它不仅仅是一个晶体管，更是您实现电路精简、提升系统可靠性的得力助手。

想象一下，在您的便携式设备、电池管理模块或精密传感器接口中，BSS123TA正悄然发挥着核心作用。其高达100V的耐压能力，让它在处理突发电压尖峰时游刃有余，为您的系统筑起一道坚固的安全防线。而仅需4.5V的低驱动电压即可开启高效导通，配合其SOT-23-3的超紧凑封装，能轻松嵌入空间极度受限的PCB布局中，让您的产品设计更加纤薄、灵活。无论是用于负载开关、信号切换，还是作为模拟开关的一部分，它都能以极低的功耗和出色的稳定性，确保每一分电能都物尽其用。

选择BSS123TA，就是选择了一份经得起考验的卓越性能与设计自由。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）意味着它能从容应对从严寒到酷热的各类严苛环境，保障设备全天候稳定运行。极低的输入电容（仅20pF）确保了超快的开关速度，显著减少开关损耗，让您的系统响应更迅捷，能效比更高。当您需要可靠、高效且节省空间的开关解决方案时，BSS123TA无疑是您的不二之选。为了确保您能便捷地获得这款优质芯片及其完善的技术支持，我们推荐您通过官方授权的DIODES中国代理进行采购，享受正品保障与一站式服务。

• 型号:BSS123TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压小电流开关任务的“全能型”芯片吗？BSS123TA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达100V的耐压和170mA的电流处理能力，让您在设计电源管理、信号路径切换或接口保护电路时信心倍增。

它最大的魅力在于其高效与易用性。仅需4.5V的低电压即可驱动，导通电阻低至6欧姆，能显著降低开关损耗，提升整体能效。同时，其微型的SOT-23-3封装让您能轻松将其集成到任何紧凑的空间中，实现高密度布局，是便携式和空间敏感型应用的理想选择。