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DMTH10H071LFDFW-13
的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMTH10H071LFDFW-13
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
制造厂商:
DIODES(美台)
功能简述:
IC
原厂封装:
封装:U-DFN2020-6(SWP)(UXG 类型)
优势价格,DMTH10H071LFDFW-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DMTH10H071LFDFW-13的技术资料下载
DMTH10H071LFDFW-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
型号:DMTH10H071LFDFW-13
品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
封装:U-DFN2020-6(SWP)(UXG 类型)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:IC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):296 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.8W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装:U-DFN2020-6(SWP)(UXG 类型)
封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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