ZVNL110ASTOA

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动、高效切换的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案ZVNL110ASTOA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压能力和320mA的连续漏极电流，在众多应用中证明了其卓越的可靠性与价值。虽然它已进入停产状态，但其成熟的性能、广泛的适用性以及通过DIODES代理商依然可获取的库存，使其成为许多经典设计或特定需求项目的明智之选。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动辅助电路或是需要精密信号切换的消费电子设备中，ZVNL110ASTOA正默默发挥着关键作用。它采用经典的TO-92兼容封装（E-Line），便于手工焊接和自动化生产，能轻松融入各种PCB布局。其仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，配合最高仅3欧姆的导通电阻，意味着更低的开关损耗和更少的热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，更是赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，无论是工业控制还是汽车电子中的非核心模块，它都能稳定担当。

选择ZVNL110ASTOA，不仅仅是选择了一颗性能参数扎实的MOSFET，更是选择了一份经过时间淬炼的安心。它代表了那个时代对品质与实用性的极致追求。对于正在维护现有产品线、开发长生命周期设备，或寻求高性价比替代方案的工程师而言，这颗芯片提供的是一种风险极低、立即可用的实现路径。它的存在，让设计简化，让性能达标，让成本可控。在快速迭代的电子世界里，有时，经典且可靠的成熟方案，正是推动项目稳步向前的最强动力。

• 型号:ZVNL110ASTOA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:75 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
• 想获取ZVNL110ASTOA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能轻松驾驭100V以下电压、高效完成小电流开关任务的“得力干将”吗？ZVNL110ASTOA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能帮助您在电路中实现精准、快速的信号切换与功率控制，其低至5V的驱动门槛和出色的导通特性，让您的设计更加简洁高效。

它能让您轻松应对多种应用场景，无论是作为电源路径管理开关，还是在电机驱动、LED调光等电路中扮演关键角色。经典的TO-92通孔封装，让原型制作与生产都倍感便利。选择它，就是选择了一个久经考验、稳定可靠的解决方案，助您的产品性能稳健发挥。