ZXMN10A09KTC

想象一下，当您的电源管理或电机驱动方案需要一颗既可靠又经济的功率开关时，您会如何选择？是牺牲性能来降低成本，还是为追求极致参数而承担高昂的预算？现在，ZXMN10A09KTC的出现，完美地终结了这个两难抉择。它不仅仅是一颗MOSFET，更是Diodes Incorporated为您精心打造的效率与可靠性的平衡大师，旨在为您的设计注入强劲而稳定的动力核心。

这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，这意味着它能够轻松应对从消费类电源适配器、LED照明驱动，到电动工具、小型风机泵类控制等多种应用场景的严苛要求。其低至85毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下），直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、能效比更高，续航和稳定性自然得到显著提升。无论是需要快速开关的DC-DC转换器，还是对空间和散热有要求的紧凑型设备，它都能游刃有余。

选择ZXMN10A09KTC，就是选择了一份安心的保障。它采用成熟的TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，不仅便于自动化生产，其良好的散热特性也为长期稳定运行奠定了基础。宽达-55°C至150°C的结温工作范围，确保了它在各种恶劣环境下都能坚如磐石。更令人心动的是，它实现了高性能与高性价比的罕见统一，让您在控制整体BOM成本的同时，毫不妥协地获得出色的电气性能。如果您正在寻找一个值得信赖的供应链伙伴，我们的DIODES中国代理团队随时准备为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，助您的新产品更快、更稳地推向市场。

• 型号:ZXMN10A09KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 4.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1313 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 想获取ZXMN10A09KTC的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗能兼顾性能、可靠性与成本的功率开关而烦恼吗？让ZXMN10A09KTC来为您排忧解难！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，以其100V/5A的稳健规格，成为您实现高效电源转换与电机控制的得力助手。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅85mΩ@10V），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统效率。无论是用于开关电源、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计运行得更冷静、更持久。搭配TO-252封装优秀的散热能力和宽泛的工作温度范围，确保您的产品在各种应用场景下都稳定可靠。

简而言之，选择ZXMN10A09KTC，就是选择用一颗芯片轻松提升整机能效与可靠性，同时优化您的系统成本，让产品竞争力脱颖而出。