ZVN2120ASTOB

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾成本与性能的开关解决方案而困扰？今天，我们为您带来一个经久考验的答案ZVN2120ASTOB。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其200V的漏源电压和180mA的连续漏极电流能力，为众多中低压、小电流应用场景树立了可靠性的标杆。它不仅仅是一个元件，更是您设计稳定性的坚实保障，让您在复杂的电路环境中也能游刃有余。

想象一下，在那些需要精密控制与高效切换的场合，比如消费电子中的电源管理模块、工业控制板上的信号隔离开关，或是各类适配器与充电器的保护电路中，ZVN2120ASTOB都能出色地扮演“高效闸门”的角色。其10V的低驱动电压要求，意味着它能够轻松被微控制器或逻辑电路驱动，显著简化您的驱动电路设计。而高达700mW的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，则确保了它在严苛环境下依然能保持稳定性能，大幅提升了终端产品的耐用性与市场竞争力。

选择ZVN2120ASTOB，就是选择了一份经过市场验证的安心。尽管该型号目前已停产，但其经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，使其与大量现有PCB设计和备货完美兼容，是进行产品维护、升级或小批量生产的理想选择。其优异的性价比和Diodes一贯的高品质，让您的项目在控制成本的同时绝不妥协于性能。如需获取此经典器件或咨询替代方案，我们的DIODES代理商团队将为您提供专业的技术支持与供应链服务，助您将创意无缝转化为可靠的产品。

• 制造商产品型号：ZVN2120ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：85pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
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您正在寻找一颗能轻松驾驭200V高压、实现高效信号切换或电源控制的“得力助手”吗？ZVN2120ASTOB正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有180mA的连续电流处理能力，配合仅10V的低驱动门槛，让您的控制电路设计变得异常简单高效，轻松实现精准的开关功能。

它采用经典的TO-92兼容封装，安装便捷，兼容性极广。高达700mW的功率耗散和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了其在各种应用环境中都能稳定运行，持久可靠，是提升您产品耐用性的秘密武器。