DMN2104L-7

在追求极致效率的电子设计世界里，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出强劲动力的开关器件而烦恼？想象一下，一个仅指尖大小的封装，却能承载高达4.3A的连续电流，以低至53毫欧的导通电阻，将每一分能量都精准高效地传递到负载端这正是DMN2104L-7为您带来的核心价值。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化空间布局、实现成本效益的得力助手。

无论是便携式设备中的电源管理、电机驱动，还是各类消费电子产品的负载开关，DMN2104L-7都能游刃有余。其20V的漏源电压和优异的开关特性，使其在电池供电场景下表现尤为出色，能有效延长设备续航。SOT-23-3的超小型封装，完美适配高密度PCB设计，让您的产品在保持纤薄轻巧的同时，内部依然拥有澎湃的“芯”动力。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，更是赋予了它应对各种严苛环境挑战的可靠性，确保您的应用稳定运行。

选择DMN2104L-7，就是选择了一种经过市场验证的成熟解决方案。它代表了在性能、尺寸与成本之间取得的卓越平衡。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用基础，使其在特定存量项目或对经典方案有需求的场景中，依然具有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行咨询与采购，这不仅是对项目质量的保障，更是对长期稳定供应的负责态度。让这颗经典而强大的“小巨人”，继续为您的创新注入可靠能量。

• 型号:DMN2104L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:53 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为空间有限的电路板寻找一颗既强劲又高效的开关核心吗？DMN2104L-7正是您理想的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，能在仅SOT-23-3的微小身躯内，为您提供高达4.3A的连续电流处理能力和低至53毫欧的导通电阻，让您的电源管理或电机驱动方案效率倍增，功耗锐减。

它采用先进的MOSFET技术，具备20V的耐压和宽泛的工作温度范围，确保在各种应用环境中稳定可靠。极低的驱动电压要求（Vgs(th)最大仅1.4V）让您能轻松实现高效控制。选择它，就是为您的设计选择了一颗经过验证的、能显著提升整体性能的动力“心脏”。