DMTH4004LK3-13

想象一下，当您的电源管理系统需要处理高达100A的持续电流时，传统方案是否总让您在效率、散热和空间之间艰难妥协？现在，答案来了DMTH4004-13，这颗专为严苛应用而生的N沟道MOSFET，将彻底改变您的设计体验。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统性能、确保可靠运行的关键引擎。

在汽车电子领域，从引擎控制单元到LED驱动，从电动助力转向到电池管理系统，稳定与高效是永恒的主题。DMTH4004LK3-13凭借其40V的漏源电压和极低的3毫欧导通电阻，能在高温环境下持续输出强劲动力，同时将能量损耗降至最低。其符合AEC-Q101标准的设计，意味着它已经通过了汽车级可靠性验证，能够从容应对振动、高温和快速温度循环的挑战，为您的车载应用注入一颗“强心脏”。而在工业电源、电机驱动甚至高密度服务器电源中，它同样能大显身手，让功率转换更加干净利落。

选择DMTH4004LK3-13，就是选择了一份从容与自信。它的TO-252-4L封装在提供出色散热能力的同时，也兼顾了PCB布局的灵活性。高达180W（Tc）的功率耗散能力，配合-55°C至175°C的宽广工作结温范围，确保了它在最恶劣的环境中也能稳定工作。更低的栅极电荷和输入电容意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统整体效率再上一个台阶。当您寻求可靠且高性能的功率解决方案时，与专业的DIODES芯片代理合作，能确保您获得正品货源与全面的技术支持，让创新之路畅通无阻。

归根结底，DMTH4004LK3-13的价值在于它用卓越的参数，化繁为简地解决了工程师的核心痛点：如何在有限的成本和空间内，实现最大化的功率处理能力与可靠性。它不仅是电路板上的一个组件，更是您产品赢得市场信任的基石。拥抱这颗高效能芯片，让我们一起开启动力与能效的新篇章。

• 型号:DMTH4004LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的MOSFET而烦恼吗？DMTH4004LK3-13正是为您而来的解决方案。它能让您的电源管理或电机驱动设计轻松驾驭高达100A的连续电流，其低至3毫欧的导通电阻显著减少了导通损耗，直接提升系统整体能效，让热量管理变得更简单。

这颗芯片采用坚固的TO-252-4L封装，散热性能优异，并且完全符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是用于汽车电子、工业自动化还是高端计算设备，它都能提供您所需的耐久力和性能，让您的产品在竞争中脱颖而出。