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DST847BDJ-7的图片

DST847BDJ-7

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
原厂封装:封装:SOT-963
优势价格,DST847BDJ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DST847BDJ-7的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致紧凑与可靠性的电子设计中,您是否曾为寻找一颗能在狭小空间内稳定驱动信号、同时兼顾出色能效的双晶体管而烦恼?现在,答案来了。让我们向您隆重介绍DST847BDJ-7,这颗来自Diodes Incorporated的微型双NPN晶体管阵列,正是为突破空间限制、提升系统性能而生的精巧解决方案。它不仅仅是一个元件,更是您产品实现小型化、高性能化的关键赋能者。

想象一下,在您的手持设备、可穿戴产品或是高密度集成的通信模块中,每一平方毫米的PCB空间都弥足珍贵。DST847BDJ-7采用的超小型SOT-963封装,如同一颗精密的电子“种子”,几乎不占用任何宝贵面积,却能为您提供双路独立的信号放大与开关控制能力。高达45V的集射极击穿电压和170MHz的跃迁频率,意味着它不仅能从容应对各种电平转换和接口驱动任务,更能胜任中高频信号处理,确保您的数据传输既快速又稳定。其低至300mV的饱和压降和高达200的最小直流电流增益,直接转化为更低的功耗损失和更强的信号驱动能力,让您的设备续航更持久,响应更敏锐。

这颗芯片的价值,在具体的应用场景中会得到淋漓尽致的展现。无论是智能手机中的传感器信号调理、蓝牙耳机的音频放大,还是工业控制模块中的逻辑电平转换与负载驱动,DST847BDJ-7都能以其双通道的灵活性和高可靠性,简化电路设计,提升整体性能。其宽广的-55°C至150°C结温工作范围,更是为严苛环境下的应用,如汽车电子或户外设备,提供了坚实的品质保障。选择它,就是选择了一种高效、紧凑且可靠的设计哲学。

那么,为何在众多选择中,DST847BDJ-7值得您特别关注?因为它完美平衡了性能、尺寸与成本。它将Diodes Incorporated领先的半导体工艺浓缩于方寸之间,为您带来卓越的电气特性。虽然该型号已停产,但通过可靠的DIODES代理渠道,您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持,确保项目供应链的稳定。它代表的是一种经过市场验证的成熟解决方案,能有效降低您的设计风险,加速产品上市进程。当您需要一颗值得信赖的“空间管理大师”来优化电路时,DST847BDJ-7无疑是您智慧而有力的选择。

  • 型号:DST847BDJ-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-963
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 2NPN 45V 100MA SOT-963
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):45V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 频率 - 跃迁:170MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-963
  • 供应商器件封装:SOT-963
  • 想获取DST847BDJ-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您是否正在寻找一颗能轻松集成到最紧凑设计中的高性能双晶体管?DST847BDJ-7正是为您而来。这颗微型双NPN晶体管阵列,以其SOT-963超小封装,让您能在极其有限的空间内,高效实现信号放大、开关控制及电平转换等关键功能。

它拥有45V的高耐压和100mA的驱动能力,配合低至300mV的饱和压降,确保信号处理强劲而高效,显著降低功耗。高达170MHz的跃迁频率,让您应对中高频应用时游刃有余。无论是消费电子还是工业模块,它都能让您的设计更精简、性能更可靠。

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