DMG7401SFG-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键元件的微小改进，就能为整个系统带来显著的性能提升和成本优化。这正是DMG7401SFG-13 P沟道MOSFET诞生的意义。它不仅仅是一个半导体开关，更是您提升产品竞争力的秘密武器，以其卓越的低导通电阻和高效的开关特性，重新定义了30V应用场景下的功率处理标准。

无论是需要精密控制的便携式设备电池保护电路，还是对空间和效率有严苛要求的DC-DC转换器、负载开关，这颗芯片都能游刃有余。其9.8A的连续漏极电流能力和仅11毫欧的超低导通电阻，意味着在传递相同功率时，产生的热量更少，系统运行更凉爽、更稳定。这直接转化为更长的设备续航、更小的散热器需求，甚至允许您采用更紧凑的工业设计。在自动化设备的主电源路径管理，或是消费电子产品的电机驱动模块中，它的快速开关能力确保了响应迅捷，动作精准。

选择DMG7401SFG-13，就是选择了一份可靠与高效。它采用先进的PowerDI3333-8封装，在极小的占板面积内实现了出色的散热性能和功率耗散能力，非常适合高密度PCB布局。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它能够从容应对各种严苛环境，从炎热的车间到寒冷的户外，性能始终如一。当您需要稳定可靠的供应链和专业技术支持时，选择一家资深的DIODES代理至关重要，他们能确保您获得正品元件和及时的应用协助。让这颗集高性能、高可靠性于一身的小巧芯片，成为您下一个爆款产品中默默奉献却功不可没的核心引擎，驱动创新，赢得市场。

• 型号:DMG7401SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 12A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2987 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源路径上的效率瓶颈而烦恼吗？DMG7401SFG-13正是为您的高效设计而来。这颗P沟道MOSFET就像一个反应迅速、损耗极低的智能开关，它能轻松处理高达9.8A的电流，同时凭借低至11毫欧的导通电阻，大幅减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

它专为优化30V以下的应用而设计，无论是用于电池供电设备的负载开关，还是DC-DC转换器中的同步整流，都能让您实现更高的能效转换。其快速的开关特性和低栅极电荷，确保了精准的控制与响应，同时有助于简化您的驱动电路设计。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠的心脏。