DMP3068LVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出DMP3068LVT-13，一款旨在重新定义紧凑型电源设计标准的P沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式音箱或智能穿戴产品中，需要一颗能够在有限空间内高效控制电源通断的“心脏”。DMP3068LVT-13正是为此而生。其卓越的75毫欧超低导通电阻（Rds(on)），配合高达2.8A的连续漏极电流能力，意味着在开关过程中能量损耗被大幅削减，更多电能被有效转化为设备动力，直接延长了电池续航，让您的产品在同类竞品中脱颖而出。无论是负载开关、电源路径管理，还是电机驱动中的极性保护，它都能以稳定可靠的性能，确保系统流畅运行。

选择DMP3068LVT-13，就是选择了一份从容与高效。其2.5V的低驱动电压门槛，使其能够轻松兼容各类现代低压微控制器，简化您的驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著提升了开关速度，减少了开关损耗，让系统响应更迅捷，整体效率更高。所有这些强大性能，都被精巧地封装在微小的TSOT-26封装内，为您宝贵的PCB板节省出更多空间，以集成更多功能或实现更纤薄的产品设计。我们专业的DIODES代理团队，随时准备为您提供从选型到量产的全方位技术支持。

从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了DMP3068LVT-13应对各种严苛环境挑战的底气，确保您的设备在酷暑或严寒中依然稳定如初。它不仅仅满足于当下的需求，更以前瞻性的设计，为您的下一代创新产品铺平道路。当您寻求一个在性能、尺寸和可靠性上无可挑剔的电源开关解决方案时，DMP3068LVT-13就是那个能让您设计游刃有余、让产品表现更胜一筹的明智之选。

• 型号:DMP3068LVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 想获取DMP3068LVT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源管理电路的效率和体积发愁吗？让DMP3068LVT-13来为您解决！这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，是专为空间受限、追求高效的应用而生的能量控制大师。

它能为您做什么？核心在于其出色的75毫欧超低导通电阻与2.8A的电流能力，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统能效和电池续航。同时，2.5V的低驱动电压让它可以轻松被主流MCU驱动，简化您的设计。所有这些优势，都集成在极其紧凑的TSOT-26封装内，为您节省宝贵的电路板空间，让产品设计更轻薄、更高效。