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D12V0H1U2LP-7B的图片

D12V0H1U2LP-7B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TVS DIODE 12VWM 23V X1DFN10062
原厂封装:封装:X1-DFN1006-2
优势价格,D12V0H1U2LP-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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D12V0H1U2LP-7B的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在您的下一个设计中,是否曾因一个微小的静电脉冲或电压浪涌而导致整个系统宕机?数据丢失、性能不稳、甚至硬件损坏这些看似偶然的故障背后,往往缺少一道坚固的防线。今天,我们为您带来的D12V0H1U2LP-7B,正是这样一位沉默而强大的电路守护者,它将以极致的紧凑与强悍的性能,彻底改写您对电路保护的认知。

想象一下,在那些对空间锱铢必较的便携设备、可穿戴设备或高密度电路板中,每一平方毫米都价值连城。这颗采用先进0402(1006公制)超小型封装的TVS二极管,几乎不占用任何宝贵空间,却能提供高达300W的峰值脉冲功率吸收能力。当高达13A的瞬态浪涌电流(8/20s波形)来袭时,它能迅速响应,将威胁电压牢牢钳制在23V以下,确保后方精密芯片的绝对安全。其12V的反向断态电压与13.3V的最小击穿电压,为您的12V线路提供了精准而可靠的门槛,既不会误动作干扰正常运作,又能在危险来临的瞬间挺身而出。

从智能家居的传感器接口、移动设备的USB端口,到工业控制中的通信线路,D12V0H1U2LP-7B的应用场景无处不在。它宽达-65°C至150°C的工作结温范围,让它无惧严寒酷暑,在各类严苛环境中稳定服役。极低的80pF@1MHz电容值,意味着它对高速数据信号的完整性影响微乎其微,完美保护信号线的同时,绝不拖慢您系统的速度。选择它,不仅仅是选择了一个元件,更是为您的产品选择了一份从容应对未知电气风险的保险,一份提升终端用户可靠体验的承诺。当您需要稳定可靠的供应与技术支持时,专业的DIODES芯片代理将是您值得信赖的伙伴。

为何众多工程师在众多保护方案中独独青睐于此?答案在于其无可比拟的价值密度。它将Diodes Incorporated顶尖的齐纳二极管技术与微型化封装工艺完美结合,在“几乎看不见”的尺寸内,实现了不妥协的保护性能。这直接转化为您产品更小的体积、更轻的重量、更优的成本控制以及更强的市场竞争力。无需复杂的外围电路,一颗芯片即筑起高墙,让您的设计从此告别脆弱的烦恼,专注于实现更伟大的创新。这就是D12V0H1U2LP-7B,您电路系统中那位虽小而不可或缺的超级英雄。

  • 型号:D12V0H1U2LP-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 12VWM 23V X1DFN10062
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):12V(最大)
  • 电压 - 击穿(最小值):13.3V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):23V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):13A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:300W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:80pF @ 1MHz
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • 想获取D12V0H1U2LP-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板上的瞬态电压干扰而提心吊胆吗?D12V0H1U2LP-7B专为解决此痛点而生。这颗来自Diodes Incorporated的TVS二极管,是您12V线路的贴身保镖,它能瞬间吸收高达300W的浪涌功率,将危险的过电压钳制在安全范围,确保您的核心芯片在静电放电或电感负载切换等意外冲击下安然无恙。

它采用极致的0402表面贴装封装,几乎不占空间,让您在高密度设计中游刃有余。同时,其超低的寄生电容确保高速数据信号畅通无阻。无论是消费电子还是工业设备,集成D12V0H1U2LP-7B,就意味着为您的产品赋予了强大的内在韧性与可靠性,让您轻松应对严苛环境,交付令市场放心的卓越产品。

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