DMP2130LDM-7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间与性能的平衡而烦恼？想象一下，一颗仅SOT-26封装的芯片，却能稳健承载3.4A的连续电流，为您的设备注入强劲而可靠的动力核心这正是DMP2130LDM-7所带来的革新体验。它不仅仅是一个P沟道MOSFET，更是工程师应对严苛空间与高效能要求挑战的智慧结晶。

无论是便携式消费电子中需要精密控制的负载开关，还是车载设备里对稳定性要求极高的电源路径管理，DMP2130LDM-7都能游刃有余。其20V的漏源电压与低至80毫欧的导通电阻，意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了终端产品的续航能力与可靠性。在-55°C到150°C的宽广工作温度范围内，它始终如一地保持稳定性能，让您的产品无惧严寒酷暑，适应从工业到消费级的各种复杂环境。

选择DMP2130LDM-7，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自Diodes Incorporated的先进MOSFET技术，以极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速高效的开关动作，让您的系统响应更加敏捷。虽然该型号已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其成为特定高端或遗留项目升级的珍贵之选。要获取这样一颗兼具性能与历史价值的芯片，或为您的项目寻找可靠的半导体解决方案，联系专业的DIODES芯片代理将是您最明智的决策，他们能为您提供精准的库存信息与专业的技术支持，助您将经典性能融入创新设计。

• 型号:DMP2130LDM-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
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还在寻找一颗能在大电流下保持冷静、在紧凑空间内发挥实力的功率开关吗？DMP2130LDM-7正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有20V耐压和3.4A的连续电流处理能力，其核心魅力在于低至80毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更高效、更凉爽。

它采用微小的SOT-26封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的开关特性（栅极电荷仅7.3nC）让您轻松实现快速、干净的控制切换。无论是用于电源开关、电机驱动还是负载管理，它都能让您的设计更简洁，性能更出众。