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| DMWSH120H28SCT7Q的报价和技术资料 - DIODES公司授权中国代理商 |
DMWSH120H28SCT7Q的图片

DMWSH120H28SCT7Q

DIODES图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
制造厂商：DIODES(美台)
功能简述：SIC MOSFET BVDSS: u003e1000V TO263-7
原厂封装：封装:TO-263-7
优势价格，DMWSH120H28SCT7Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMWSH120H28SCT7Q的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供
  • 型号:DMWSH120H28SCT7Q
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:SIC MOSFET BVDSS: u003e1000V TO263-7
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85.5A（Tj）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28.5 毫欧 @ 50A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3，6V @ 17，7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:184 nC @ 15 V
  • Vgs（最大值）:+19V，-8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3864 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-263-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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