DMT69M8LPS-13

当您的汽车电子系统需要在严苛环境下保持稳定高效时，您是否曾为寻找一颗兼具性能与可靠性的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前DMT69M8LPS-13，这颗专为汽车级应用打造的N沟道MOSFET，正是您设计中的关键拼图。它不仅通过了严苛的AEC-Q101认证，更以60V的漏源电压和高达10.2A的连续漏极电流，为您的动力系统、照明控制或电机驱动注入强劲而稳定的能量。

想象一下，在引擎舱的高温环境中，或在频繁启停的复杂工况下，这颗芯片凭借其出色的热管理能力（结温高达150°C）和仅为12毫欧的超低导通电阻，能极大减少能量损耗和发热，让系统运行更凉爽、更持久。其优化的栅极电荷（仅33.5nC）和输入电容，确保了快速高效的开关响应，无论是用于DC-DC转换、负载开关还是电池管理，都能让您的产品在效率和响应速度上脱颖而出。选择可靠的DIODES代理，您获得的不仅是这颗高性能芯片，更是从选型到供应的全程专业支持。

为何众多工程师在面临高可靠性要求时，会毫不犹豫地选择它？因为DMT69M8LPS-13代表的不仅仅是一组参数，更是一种承诺。它采用坚固的PowerDI5060-8封装，适合自动化表面贴装生产，助力您提升制造效率与一致性。尽管该型号已进入停产状态，但其在汽车电子领域的经典设计和久经考验的可靠性，使其成为特定高要求项目或现有系统维护的优选方案。它让您在应对电压波动、负载冲击时充满信心，用更少的元件实现更强的性能，最终为您赢得终端市场的信赖与口碑。

• 型号:DMT69M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.2A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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您是否正在寻找一颗能扛起汽车电子核心开关重任的“强力心脏”？DMT69M8LPS-13正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和10.2A的强劲电流处理能力，其超低的12毫欧导通电阻能显著降低系统功耗与发热，让您的电机驱动、电源转换或负载开关应用运行得更高效、更凉爽。

它专为严苛环境设计，通过AEC-Q101认证，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保在汽车舱内高温等挑战性条件下依然稳定可靠。优化的栅极特性让开关动作干净利落，助您轻松提升系统响应速度与整体能效。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的性能保障。