DMT35M7LFV-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够在高电流下保持超低导通电阻的MOSFET，将如何彻底改变您的设计效率。答案就在DMT35M7LFV-13之中。这款来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其30V的漏源电压和高达76A的连续漏极电流能力，为您的高功率密度应用铺平了道路。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、低温、稳定运行的能量枢纽。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发大电流的电机驱动，甚至是汽车电子中关乎安全与效率的负载开关，DMT35M7LFV-13都能游刃有余。其核心魅力在于仅5毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs，20A条件下），这意味着在导通状态下，能量损耗被降至极低，更多的电能被有效输送至负载，而非转化为令人头疼的热量。搭配仅36nC的低栅极电荷，它实现了快速开关与低驱动损耗的完美平衡，让您的系统频率可以更高，响应可以更快，整体能效表现自然脱颖而出。

选择DMT35M7LFV-13，就是选择了一份从容与可靠。其坚固的PowerDI3333-8封装不仅提供了优异的散热性能，紧凑的尺寸更是为空间受限的现代电子产品量身定制。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。当您需要将这样的高性能芯片集成到您的设计中时，与一家可靠的DIODES代理商合作至关重要，他们能为您提供从技术支援到稳定供货的全链条服务。让DMT35M7LFV-13成为您下一个爆款产品的“动力心脏”，体验高效能带来的市场竞争优势，现在就是最佳时机。

• 型号:DMT35M7LFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):76A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1667 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.98W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在寻找那颗能让您的电源设计既强劲又冷静的“核心引擎”吗？DMT35M7LFV-13正是您期待的答案。这颗30V/76A的N沟道MOSFET，凭借低至5毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升系统整体效率，并让散热设计变得前所未有的轻松。

它能让您轻松驾驭电机驱动、同步整流等高电流应用。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，不仅减少了电磁干扰（EMI），还让驱动电路设计更简单。采用热增强型的PowerDI3333-8表面贴装封装，它在提供强大功率处理能力的同时，保持了紧凑的占板面积，是空间和性能必须兼得的现代电子产品的理想选择。