DMT4004LPS-13

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在40V电压下稳定输出26A电流，同时导通电阻低至2.5毫欧的功率MOSFET，将如何彻底改变您的电源设计？答案就在DMT4004LPS-13。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统性能、降低整体能耗的得力引擎。其卓越的电气特性，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统效率和更凉爽的运行温度，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是严苛的汽车电子环境，还是对可靠性要求极高的工业电源模块，DMT4004LPS-13都能游刃有余。它符合AEC-Q101汽车级标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保了在极端温度下的稳定性和长寿命。这使得它成为车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电机驱动以及各类电源开关应用的理想心脏。其PowerDI5060-8封装不仅提供了优异的散热性能，还节省了宝贵的PCB空间，让您的设计更加紧凑、高效。选择它，就是为您的核心动力系统注入了经得起考验的耐久力。

当您深入比较，会发现选择DMT4004LPS-13的理由清晰而有力。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了驱动电路的负担，让开关过程更加干净利落，从而提升整体系统的响应速度和能效比。高达138W（Tc）的功率耗散能力，配合其先进的封装技术，让散热设计变得前所未有的轻松。这意味着您可以减少散热片的尺寸，甚至简化散热方案，从而降低系统复杂性和总体成本。为了确保您能便捷地获得这款优质芯片及其完善的技术支持，我们推荐您联系专业的DIODES中国代理，他们将为您提供从选型到量产的一站式服务，让创新之路畅通无阻。

• 型号:DMT4004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 26A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:82.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4508 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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还在寻找那颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”吗？DMT4004LPS-13 N沟道MOSFET正是为您的高要求应用而生。它凭借40V的耐压和高达26A的连续漏极电流，让您轻松驾驭主流功率开关场景；而低至2.5毫欧的导通电阻，则能大幅降低导通损耗，直接提升您的系统效率，减少发热困扰。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器工作得更安静、更高效；能让电机驱动响应更迅猛、运行更平稳；更能为汽车电子系统提供符合AEC-Q101标准的可靠保障。其优化的开关特性（低栅极电荷）让驱动设计更简单，PowerDI5060封装确保了出色的散热和空间利用率。选择它，就是选择了一条通往更高效、更紧凑、更可靠产品设计的捷径。