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DMC4028SSD-13的图片

DMC4028SSD-13

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO
原厂封装:封装:8-SO
优势价格,DMC4028SSD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DMC4028SSD-13的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

想象一下,在您的下一个电源管理或电机驱动设计中,如何将效率提升15%以上,同时将电路板空间缩小30%?答案可能就藏在一颗精密的双MOSFET阵列中。今天,我们向您隆重介绍DMC4028SSD-13,这颗来自Diodes Incorporated的明星产品,正以其卓越的性能重新定义紧凑型功率开关的标杆。

它不仅仅是一对简单的MOSFET。在仅有3.9mm宽的8-SOIC封装内,DMC4028SSD-13巧妙地集成了一个N沟道和一个P沟道逻辑电平MOSFET,两者均能承受高达40V的电压。这意味着您可以用一颗芯片轻松实现推挽输出、H桥驱动或电源路径切换等复杂功能,而无需再为两颗分立器件寻找布局空间并处理它们之间的寄生参数。其超低的导通电阻(最低仅28毫欧)直接转化为更少的热损耗和更高的系统效率,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这种高效与紧凑的结合,使其成为众多应用的理想心脏。无论是需要精密控制的无人机电调、追求静音与效率的电脑散热风扇,还是便携式设备中的负载开关与电源分配,DMC4028SSD-13都能游刃有余。它逻辑电平驱动的特性(Vgs(th)最大仅3V)使其能够被微控制器直接驱动,极大地简化了驱动电路设计,让工程师能够将更多精力聚焦于核心算法与功能创新,而非繁琐的功率级调试。

选择DMC4028SSD-13,就是选择了一份可靠性与前瞻性并重的保障。Diodes Incorporated的严格品控确保了其在-55°C至150°C的严苛结温范围内稳定工作,满足工业级乃至部分汽车应用的需求。其优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,保证了快速的开关速度,减少开关损耗,特别适合高频PWM应用。当您需要可靠、高效且节省空间的功率开关解决方案时,DIODES代理商将是您获取这颗强大芯片并获取专业技术支持的最佳伙伴。立即采用DMC4028SSD-13,为您的产品注入更强劲、更智能的功率核心,在市场竞争中率先赢得优势。

  • 型号:DMC4028SSD-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A,4.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):12.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):604pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取DMC4028SSD-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路板空间紧张和功率损耗过高而烦恼吗?DMC4028SSD-13正是为您解忧的利器。这颗高度集成的双MOSFET阵列,在一个微小的8-SOIC封装内,为您提供了一个N沟道和一个P沟道的逻辑电平功率开关,让您轻松构建高效的半桥或负载开关电路,大幅简化布局并提升可靠性。

凭借40V的耐压能力和低至28毫欧的导通电阻,它能帮助您显著降低导通损耗,提升整体系统效率。无论是驱动电机、控制电源路径还是管理信号切换,其优异的开关特性都能让您的设计运行得更快、更冷、更安静。选择它,就是选择了一种更优雅、更高效的工程实现方式。

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