DMN10H170SVT-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为效率与体积的平衡而烦恼？想象一下，一个仅TSOT-26封装大小的器件，却能稳健承载100V电压与2.6A的连续电流，将功率损耗降至新低这正是DMN10H170SVT-13为您带来的现实突破。它不仅仅是一颗N沟道MOSFET，更是Diodes Incorporated以尖端MOSFET技术淬炼出的高可靠性开关核心，专为应对紧凑空间下的高效能量转换挑战而生。

无论是快速充电器内部需要的高频开关，还是便携式设备中精细的负载控制，亦或是工业自动化模块里要求苛刻的功率驱动，这颗芯片都能游刃有余。其低至160毫欧的导通电阻（在5A, 10V条件下），意味着更少的热量产生和更高的整体能效，直接助力您的终端产品延长续航、降低温升、提升可靠性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种严苛环境下稳定运行，为您的设计注入强心剂。

选择DMN10H170SVT-13，就是选择了一种经过市场验证的卓越价值。它拥有优化的栅极电荷（仅9.7nC @ 10V）和输入电容，使得开关速度更快，驱动更轻松，从而简化您的驱动电路设计，减少外围元件。其4.5V的低驱动电压门槛，也让它能更好地兼容现代低压控制逻辑。当您寻求稳定供应与技术支持时，遍布全球的DIODES代理网络是您坚实的后盾，确保您能便捷地获取这颗优质芯片及全面的应用支持。让DMN10H170SVT-13成为您下一个爆款产品的“高效心脏”，共同开启能效新纪元。

• 型号:DMN10H170SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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还在寻找一颗能在紧凑空间内扛起高效开关重任的“得力干将”吗？DMN10H170SVT-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和2.6A的连续电流能力，凭借其卓越的160毫欧低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

它采用先进的TSOT-26微型封装，非常适合空间受限的现代电子设计。优异的栅极特性（Qg仅9.7nC）让您能够轻松实现高速、高效的开关控制，简化驱动电路设计。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMN10H170SVT-13都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品在各种环境下都可靠运行，助您轻松打造更具市场竞争力的高效解决方案。