DMT10H010LCT

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而困扰？现在，一颗性能卓越的功率开关器件，将彻底改变您的设计体验。我们隆重推出DMT10H010LCT，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的耐压和高达98A的连续漏极电流能力，为您的高功率应用注入强劲动力。其超低的9.5毫欧导通电阻，意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业自动化中驱动大型伺服电机，还是数据中心服务器电源需要高效稳定的DC-DC转换，亦或是新能源领域如太阳能逆变器、电动汽车充电模块，DMT10H010LCT都能游刃有余。它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）确保了快速响应，减少开关过渡期的损耗，特别适合高频开关应用。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和TO-220AB的经典封装，提供了出色的散热能力和坚固的物理可靠性，即使在最严苛的环境下也能稳定运行，保障您的终端设备长时间无故障工作。

选择DMT10H010LCT，就是选择了一份经得起验证的性能承诺。它不仅是一颗参数优秀的MOSFET，更是您提升产品能效、缩小体积、增强可靠性的关键伙伴。我们理解，卓越的元器件需要配以可靠的支持，通过专业的DIODES代理商，您可以获得稳定的货源、及时的技术支持与有竞争力的价格，确保您的项目从设计到量产一路畅通。立即将DMT10H010LCT纳入您的设计，亲身感受它如何以更低的损耗、更强的驱动能力和更稳定的表现，为您的下一个明星产品奠定坚实基础，开启高效节能的新篇章。

• 型号:DMT10H010LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），139W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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想象一下，在您的电源或电机驱动设计中，开关器件几乎不产生额外的热量，系统效率轻松突破新高。DMT10H010LCT正是为实现这一愿景而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V耐压和98A的强大电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅9.5毫欧），能显著降低导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。

它能让您轻松驾驭高频开关场景，得益于优化的栅极电荷，开关速度快，损耗小。无论是处理持续的功率流还是应对瞬间的电流峰值，它都表现出色。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的长期稳定性和可靠性，是您打造高效、紧凑、耐用电力系统的理想选择。