2N7002WKX-13

在追求极致能效与可靠性的电子设计中，您是否曾为寻找一款能在严苛环境下稳定工作、同时兼顾成本效益的开关解决方案而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的答案2N7002WKX-13。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其60V的漏源电压和高达150°C的结温工作能力，专为应对挑战而生。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统稳健性与能效表现的得力助手，尤其符合汽车级AEC-Q101标准，意味着它已经通过了最严格的可靠性验证，天生就为高要求的应用场景做好了准备。

想象一下，在汽车电子模块中，需要精准控制小功率负载的开关；在便携式设备的电源管理电路中，要求高效节能且占用空间极小；或者在工业控制板卡上，信号切换必须快速且稳定。2N7002WKX-13正是这些场景的理想选择。其SOT-323的超小型封装，让您在紧凑的PCB布局上游刃有余，而仅需5V的低驱动电压即可实现高效导通，大大简化了您的驱动电路设计。无论是车灯控制、传感器接口切换，还是电池供电设备中的负载管理，它都能以出色的表现，确保您的系统运行如丝般顺滑。

选择2N7002WKX-13，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用历史，使其成为特定存量项目或对长期可靠性有极致要求场景的珍贵之选。其7.5欧姆的低导通电阻（在5V驱动下）确保了开关过程中的功率损耗最小化，直接提升了整体能效。当您需要这样一颗兼具性能与可靠性的关键元件时，通过值得信赖的DIODES中国代理进行咨询与采购，将是保障货源正宗与获取专业技术支持的最优途径。让这颗小小的芯片，成为您产品设计中坚固而高效的核心支点，助力您的创意在市场中脱颖而出。

• 型号:2N7002WKX-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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您正在寻找一颗能轻松驾驭低电压驱动、高效完成信号切换任务的微型开关吗？2N7002WKX-13正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能在仅5V的驱动电压下高效导通，最大程度简化您的电路设计，让您轻松实现对小电流负载（连续漏极电流115mA）的精准、快速控制。

它采用超小的SOT-323表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，非常适合高密度集成设计。其高达60V的漏源电压和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），赋予了它出色的环境适应性与可靠性，确保您的应用在各种条件下都能稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与稳健并存的保障。