DMP6110SVT-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、散热和性能的平衡而妥协？想象一下，一个仅TSOT-26封装大小的器件，却能稳健承载高达7.3A的连续电流，并轻松应对60V的电压环境这并非遥不可及的未来科技，而是DMP6110SVT-13为您带来的现实革新。这款来自Diodes Incorporated的P沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和微小的占板面积，正在重新定义高效功率转换的边界。

无论是需要高侧负载开关的便携式设备，还是空间受限的DC-DC转换器中的同步整流，DMP6110SVT-13都能大显身手。其105毫欧的超低导通电阻（在10V Vgs条件下），意味着更少的导通损耗和更低的发热量，直接转化为更长的电池续航和更可靠的系统运行。在电机驱动、电池保护电路或是智能家居的电源分配模块中，它都能确保能量以极高的效率精准送达，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择DMP6110SVT-13，就是选择了一份从容与保障。它宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定表现，而优化的栅极电荷（仅17.2nC）则大幅降低了开关损耗，让高频应用游刃有余。这一切精妙的设计，都封装在那个轻巧的TSOT-26里，为您节省下宝贵的PCB空间。当您寻求可靠且高性能的解决方案时，通过正规的DIODES授权代理进行采购，不仅能获得原厂正品保证，还能得到完整的技术支持与供应链服务，让您的创新之路毫无后顾之忧。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品力、赢得市场的关键伙伴。

• 型号:DMP6110SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 想获取DMP6110SVT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为寻找一颗既能承受高功率又足够小巧的P沟道MOSFET而烦恼吗？DMP6110SVT-13正是您的理想答案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的能量开关与控制。

凭借60V的漏源电压和7.3A的连续电流能力，它能为您的负载开关、电源路径管理和电机驱动应用提供强劲而可靠的动力核心。其超低的导通电阻（典型值105毫欧@10V）意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更高效。优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速的开关响应，进一步提升整体能效。

所有这些卓越性能，都被集成在一个微型的TSOT-26封装内，为您极度紧凑的设计需求腾出宝贵空间。选择DMP6110SVT-13，就是选择用一颗芯片，同时赢得性能、效率与空间的三重优势。