DMTH69M8LFVW-7

想象一下，当您的电源管理系统需要在严苛环境下稳定输出大电流时，您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击、又能保持极低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMTH69M8LFVW-7，正是为解决这一核心挑战而生。这款由Diodes Incorporated精心打造的N沟道MOSFET，不仅拥有60V的漏源电压和高达15.9A/45.4A的电流处理能力，更以其卓越的能效表现，重新定义了中高功率应用的性能标杆。

在各类工业电源、电机驱动、DC-DC转换器乃至新能源车载充电系统中，DMTH69M8LFVW-7都能大显身手。其9.5毫欧的超低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着在传导过程中的能量损耗被降至极低，直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率。无论是应对瞬间峰值电流，还是在-55°C到175°C的广阔结温范围内持续工作，它都能提供稳定可靠的开关性能，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效和可靠性脱颖而出。

选择DMTH69M8LFVW-7，就是选择了一份对性能和品质的坚定承诺。其采用先进的PowerDI3333-8封装，不仅提供了优异的散热性能，紧凑的尺寸更为您的PCB布局节省了宝贵空间。快速的开关特性（栅极电荷仅33.5nC）确保了高频应用下的响应速度，而高达175°C的最大结温则赋予了产品无与伦比的环境适应性。当您需要可靠的供应链支持时，遍布全球的DIODES代理商网络将确保您能及时、便捷地获取这颗性能强劲的芯片，助力您的项目从设计到量产一路畅通。

• 型号:DMTH69M8LFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28ns/198ns
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:LMR-1700
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMTH69M8LFVW-7 N沟道MOSFET正是您的高效动力引擎。它能在高达60V的电压和45.4A的电流下稳定工作，凭借低至9.5毫欧的导通电阻，显著降低开关损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片专为 demanding 应用设计，其快速的开关速度和低栅极电荷特性，让您轻松实现高频高效的功率转换。无论是工业设备还是汽车电子，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和坚固的PowerDI3333-8封装，都确保了它在各种严苛环境下的卓越可靠性，是您提升产品竞争力的理想选择。