DMP510DLW-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗集高效、紧凑与可靠于一身的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在DMP510DLW-7。这款来自Diodes Incorporated的卓越产品，以其41V至60V的宽泛漏源电压范围，为您的中低压应用场景提供了坚固的电气屏障，确保系统在复杂工况下依然稳定如山。

无论是紧凑型消费电子设备的电源转换模块，还是工业自动化设备中的电机驱动单元，甚至是车载辅助系统的精密控制回路，DMP510DLW-7都能完美融入。其SOT323的超小型封装，堪称空间魔术师，让您在寸土寸金的PCB板上游刃有余地进行布局，轻松实现高密度集成，为产品的小型化、轻薄化设计扫清障碍。这意味着您的终端产品不仅能拥有更迷人的外观，还能在性能上毫无折损。

选择DMP510DLW-7，就是选择了一份经过市场验证的可靠承诺。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化整体能效的关键支点。其优异的导通电阻与开关特性，直接转化为更低的发热量和更高的能源利用率，让您的设备运行更冷静、续航更持久。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的DIODES一级代理身份确保了从芯片到服务的全程卓越品质。让我们携手，用DMP510DLW-7这颗高效能“心脏”，为您下一个爆款产品注入强劲动力与市场信心。

• 型号:DMP510DLW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT323 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):174mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:24.6 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:320mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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还在寻找那颗能兼顾性能与尺寸的“全能型”MOSFET吗？DMP510DLW-7就是为您而来的解决方案。它专为41V至60V的中低压应用优化，能轻松胜任开关电源、电机驱动等核心电路中的高效开关任务，让您的系统运行更流畅、能耗更低。

这颗芯片最懂您的设计痛点。其超小的SOT323封装，能极大节省您宝贵的PCB空间，助力实现产品小型化。优异的电气特性确保了快速、干净的开关动作，显著降低开关损耗和发热，从而提升整体系统的可靠性与效率。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的心脏。