DMT6016LPSW-13

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够同时兼顾低导通电阻、快速开关特性和出色热性能的MOSFET，将如何彻底改变您的设计格局。现在，这一切不再是想象，DMT6016LPSW-13正是为此而生的卓越解决方案。

这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其仅16.5毫欧的超低导通电阻，在10V驱动电压下轻松应对20A的大电流。这意味着在开关电源的同步整流、DC-DC转换器的上下桥臂，或是电机驱动的H桥电路中，它能显著降低导通损耗，将更多电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。其高达60V的漏源电压和宽达-55°C至150°C的工作结温，赋予了它应对工业环境严苛电压波动与温度变化的强大韧性。无论是服务器电源、电动工具，还是汽车辅助系统，它都能稳定可靠地作为能量控制的“智能开关”，确保系统长时间高效、安静地运行。

选择DMT6016LPSW-13，就是选择了一份面向未来的设计保障。其PowerDI5060封装不仅实现了紧凑的表面贴装，更通过优化的封装设计将高达41.67W（Tc）的功率耗散能力凝聚于方寸之间，让您的PCB布局更自由，散热设计更简单。极低的栅极电荷（仅17nC）与输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，这对于提升开关频率、减小无源器件体积、最终实现产品小型化至关重要。当您需要可靠的原厂供应链支持时，我们的DIODES一级代理身份确保了正品货源与及时的技术服务，让您的量产之路毫无后顾之忧。这不仅仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、赢得市场的关键赋能元件。

• 型号:DMT6016LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.2A（Ta），43A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.84W（Ta），41.67W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 想获取DMT6016LPSW-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能平衡性能与尺寸的“核心开关”吗？DMT6016LPSW-13 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它专为高效功率控制而设计，其16.5毫欧的超低导通电阻能大幅减少能量损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅捷、损耗极低的电子阀门。在同步整流电路中，它能最大化电能回收效率；在DC-DC转换器中，助力您实现更高的功率密度；在电机驱动里，则确保强劲而平稳的动力输出。其坚固的60V耐压和宽温工作范围，让您能轻松应对各种工业与消费类应用的挑战。