BSS138-7

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否曾为寻找一颗既能稳定驱动小型负载，又能轻松集成于有限空间的N沟道MOSFET而烦恼？现在，答案就在眼前BSS138-7，这颗来自Diodes Incorporated的经典之作，以其卓越的性价比和可靠的性能，持续为无数创新设计注入活力。

想象一下，在您的便携设备电源管理模块中，它如同一位高效的微型开关，仅需10V的驱动电压便能迅速响应，以低至3.5欧姆的导通电阻，让200mA的电流顺畅通过，将功率损耗降至最低。其高达50V的漏源电压耐受能力，为电路提供了坚实的安全缓冲，而SOT-23-3的超小型封装，更是将“寸土寸金”的PCB空间利用到了极致，让您的产品设计更加纤薄灵动。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了无论环境如何严苛，它都能稳定如一，是追求可靠性与耐久性的不二之选。

这颗芯片的价值，在具体的应用场景中熠熠生辉。它完美适配于需要低侧开关控制的场合，例如电池供电设备中的负载开关、信号切换电路，或是单片机GPIO口的电平转换与驱动。在智能穿戴、物联网传感器模块、便携式医疗仪器中，BSS138-7都能轻松胜任，以其低阈值电压（Vgs(th)最大仅1.5V）与微小的输入电容（Ciss最大50pF），实现快速开关并降低对驱动电路的要求，从而简化整体设计，加速您的产品上市进程。选择可靠的DIODES代理，您不仅能获得这颗优质芯片，更能得到完整的技术支持与供应链保障。

因此，当您下一次为项目挑选核心开关元件时，BSS138-7提供的不仅仅是一组优秀的参数，更是一个经过市场长期验证的解决方案。它平衡了性能、尺寸与成本，让您能以更少的投入，收获更稳定、更高效的系统表现。尽管其零件状态显示为停产，但在许多现有设计和备货需求中，它依然扮演着关键角色，其经典设计理念与实用价值历久弥新。拥抱BSS138-7，就是拥抱一份历经考验的可靠与高效，让您的创意在精密的电子世界中畅通无阻。

• 型号:BSS138-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS138-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能高效、可靠地控制小功率电路的开关吗？BSS138-7正是为您而来！这颗N沟道MOSFET就像一个反应敏捷的微型交通指挥官，能在您的电路中轻松实现高速开关与信号切换。它凭借50V的耐压和200mA的连续电流处理能力，确保小型负载驱动稳定无忧。

更令人惊喜的是，其极低的导通电阻（最大3.5欧姆@10V）意味着更少的能量损耗，让您的设备续航更持久。SOT-23-3的迷你封装，让您能在紧凑的电路板上游刃有余地进行布局。无论是用于电平转换、负载开关还是信号隔离，BSS138-7都能让您的设计事半功倍，高效实现功能并优化整体性能。