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ZTX855STZ的图片

ZTX855STZ

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 150V 4A E-LINE
原厂封装:封装:E-Line(TO-92 兼容)
优势价格,ZTX855STZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ZTX855STZ的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求更高能效与可靠性的电子设计中,您是否曾为功率开关电路中的晶体管性能瓶颈而困扰?当系统需要处理高达150V的电压和4A的电流时,传统的解决方案往往在效率、发热和稳定性之间难以平衡。现在,这一切有了全新的答案ZTX855STZ,这颗来自Diodes Incorporated的NPN功率晶体管,正是为突破这些限制而生。

想象一下,在您的开关电源、电机驱动或高功率线性稳压器中,一颗晶体管不仅要承受高压大电流的考验,还要在频繁开关中保持极低的损耗。ZTX855STZ凭借其仅260mV的极低饱和压降,在4A的大电流下依然能最大限度地减少导通损耗,将更多电能转化为有效输出,而非无谓的热量。这意味着您的设备运行更凉爽,效率更高,寿命也更长久。其高达90MHz的跃迁频率,确保了它在高速开关应用中响应迅捷,助力您的设计实现更精细的控制与更快的动态响应。

从工业自动化中的电机控制器,到通信设备的电源模块,再到汽车电子中的各种驱动电路,ZTX855STZ的舞台无比广阔。它宽达-55°C至200°C的工作结温范围,让它无惧严寒酷暑与内部高温的挑战,在各种严苛环境下都能稳定工作,为您的产品可靠性加上一道坚实的保险。选择它,不仅仅是选择了一个元件,更是选择了一种对性能毫不妥协、对品质精益求精的设计哲学。

为何众多工程师在需要可靠、高效的150V/4A NPN解决方案时,会毫不犹豫地转向ZTX855STZ?因为它将高耐压、大电流、低饱和压降与出色的频率特性集于一身,在经典的E-Line通孔封装内提供了卓越的价值。它简化了您的设计难度,让您无需在多个参数间艰难取舍。当您寻求稳定供应与技术支持时,专业的DIODES中国代理将是您可靠的合作伙伴,确保您能轻松地将这颗高性能晶体管的潜力,转化为您产品的核心竞争力。

  • 型号:ZTX855STZ
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 150V 4A E-LINE
  • 系列:-
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:最后售卖
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):150 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):260mV @ 400mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大值:1.2 W
  • 频率 - 跃迁:90MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:E-Line-3
  • 供应商器件封装:E-Line(TO-92 兼容)
  • 想获取ZTX855STZ的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高压开关电路寻找一颗既能‘扛得住’又能‘跑得快’的核心器件吗?ZTX855STZ正是您期待的答案。这颗NPN功率晶体管拥有150V的高耐压和4A的大电流处理能力,专为要求苛刻的功率应用而设计。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的Vce饱和压降(仅260mV @ 4A)能显著降低导通损耗,提升整体能效,同时减少发热。高达90MHz的跃迁频率则确保了出色的开关速度,让您轻松实现快速、精准的功率控制。无论是用于电源转换、电机驱动还是线性放大,它都能提供稳定、强劲的性能支持。

此外,其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 200°C TJ)和坚固的通孔封装,赋予了它卓越的环境适应性与耐久性,是您构建高可靠性产品的理想选择。

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