ZVP3306ASTZ

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款性能稳定、控制精准的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案ZVP3306ASTZ。这款来自Diodes Incorporated的经典器件，以其高达60V的漏源电压和160mA的连续漏极电流，为您的低压侧开关、负载切换和信号隔离应用提供了坚实的保障。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品稳定性和延长使用寿命的关键一环。

想象一下，在您的便携式设备电源管理模块中，需要一颗能够高效、安静地控制电路通断的“开关”。ZVP3306ASTZ正是为此而生。其P沟道设计简化了驱动逻辑，在10V驱动电压下即可实现优异的导通性能，导通电阻低至14欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是电池供电的物联网终端、消费类电子产品中的电平转换，还是工业控制板上的信号隔离与保护，这颗芯片都能游刃有余，确保您的系统在各种工况下都稳定运行。其宽广的-55°C至150°C工作结温范围，更是让它无惧严寒酷暑，适应从消费级到工业级的严苛环境挑战。

选择ZVP3306ASTZ，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与Diodes品牌的卓越品质。经典的TO-92兼容封装（E-Line）使其与广泛的设计兼容，便于焊接和替换，大大降低了您的生产与维护复杂度。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在存量市场和高可靠性要求项目中依然极具价值。为了确保您能获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的DIODES授权代理进行采购。这不仅能保障芯片的原厂品质，更能为您后续的选型替代和技术咨询提供坚实的后盾。让这颗经典的P沟道MOSFET，成为您经典设计中那个不可或缺的可靠伙伴。

• 型号:ZVP3306ASTZ
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 160MA E-LINE
• 系列:-
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:E-Line（TO-92 兼容）
• 封装/外壳:E-Line-3
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还在寻找一颗能轻松驾驭60V以下电路、控制精准又省心的P沟道MOSFET吗？ZVP3306ASTZ正是您的理想之选。它能让您高效地完成负载切换、信号隔离和电源管理任务，其仅需10V的驱动电压和低至14欧姆的导通电阻，意味着更低的功耗和更简洁的驱动电路设计。

这颗芯片采用经典的TO-92兼容封装，让您的PCB布局和焊接工作变得异常轻松。其坚固的设计支持高达625mW的功率耗散，并能在-55°C到150°C的极端温度范围内稳定工作，为您产品的长期可靠运行保驾护航。选择它，就是为您的设计注入一份经久耐用的高效动能。