DMP3050LSS-13

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为平衡性能与空间而烦恼？想象一下，一颗能够轻松驾驭30V电压、持续输出4.8A电流的P沟道MOSFET，同时还能将导通电阻控制在极低的45毫欧，它将为您的产品带来怎样的性能飞跃与设计自由？答案就在DMP3050LSS-13。

这颗来自Diodes Incorporated的卓越器件，正是为应对现代电子设备的严苛挑战而生。其出色的电气特性，意味着在开关电源、电机驱动、负载开关等关键应用中，它能显著降低导通损耗，提升整体效率，让热量管理变得更加轻松。无论是需要快速响应的便携设备，还是要求长期稳定运行的工业模块，DMP3050LSS-13都能以优异的性能确保系统心脏的强劲与可靠。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围，更是赋予了产品无惧严寒酷暑的坚韧品质，从容应对各种环境挑战。

选择DMP3050LSS-13，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份经过市场验证的卓越与安心。它代表了在有限空间内实现最大功率处理能力的工程智慧，其优化的栅极电荷与输入电容，确保了高速开关下的低损耗与低噪声，让您的设计在性能竞赛中快人一步。当您寻求可靠供应与专业支持时，我们的DIODES授权代理网络随时待命，为您提供从选型到量产的全链路服务。让这颗高效、可靠的P沟道MOSFET，成为您下一个成功产品的秘密武器，共同开启能效新纪元。

• 型号:DMP3050LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154
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还在寻找一颗能兼顾高效能与高集成度的P沟道MOSFET吗？DMP3050LSS-13正是您的理想之选。它能让您轻松构建高效的电源路径管理，其低至45毫欧的导通电阻（@10V）能显著减少功率损耗，提升系统整体效率，同时其4.8A的连续电流能力为您的设计提供充沛动力。

这颗采用紧凑8-SO封装的芯片，集成了优异的电气特性。优化的栅极驱动电压（4.5V/10V）和低栅极电荷，让您的开关控制更加迅速、高效，有效降低开关噪声。其坚固的设计支持高达30V的漏源电压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的应用在各种严苛环境下都能稳定运行，是提升产品可靠性与竞争力的关键组件。