DMT2005UDV-7

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色热性能的MOSFET而困扰？想象一下，当您的设备需要在紧凑空间内实现高效能量转换，同时保持系统稳定可靠，这正是DMT2005UDV-7大显身手的舞台。这款由Diodes Incorporated精心打造的双N通道MOSFET阵列，以其卓越的电气特性和坚固的物理设计，正在重新定义中低压应用中的功率开关标准。

无论是高性能计算设备的CPU/GPU供电，还是便携式消费电子产品的电池管理，DMT2005UDV-7都能游刃有余。其高达50A的连续漏极电流承载能力，配合仅7毫欧的超低导通电阻，意味着在能量传递路径上的损耗被降至最低，更多的电能被有效利用，直接转化为更长的续航时间或更强的输出性能。在空间受限的现代电子产品中，其小巧的8-PowerVDFN封装与表面贴装设计，让工程师能够更自由地进行布局，实现更高密度的电路设计，同时得益于优异的散热特性，即使在-55°C至150°C的严苛温度范围内也能稳定工作。

选择DMT2005UDV-7，就是选择了一份对性能和可靠性的双重保障。它不仅是一颗元器件，更是您产品提升市场竞争力的关键伙伴。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让整个系统的响应更加敏捷高效。当您需要确保供应链的稳定与正品保障时，通过官方DIODES授权代理进行采购，是获得原厂技术支持与质量承诺的最佳途径。从原型设计到量产落地，这颗芯片都将以其坚实的品质，成为您项目中值得信赖的基石，助您轻松攻克电源设计的种种挑战，创造出更高效、更可靠的终端产品。

• 型号:DMT2005UDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 50A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060pF @ 10V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 想获取DMT2005UDV-7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT2005UDV-7双N通道MOSFET阵列正是为您的高效设计而来。它凭借仅7毫欧的超低导通电阻和高达50A的电流处理能力，能显著降低导通损耗，让您的设备能量传递更直接、更高效，轻松提升整体能效表现。

这颗芯片采用先进的PowerDI3333封装，在极小的占板面积内实现了优异的散热性能，确保在-55°C到150°C的宽广温度范围内稳定运行。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，DMT2005UDV-7都能让您的设计更紧凑、更可靠，助您快速打造出具有市场竞争力的高性能产品。