DMG1026UVQ-7

当您的下一代汽车电子设计面临空间与性能的双重挑战时，是否曾渴望一颗既能节省宝贵PCB面积，又能提供稳定可靠双通道开关控制的解决方案？答案就在DMG1026UVQ-7。这款来自Diodes Incorporated的微型双N沟道MOSFET阵列，正以其卓越的集成度和汽车级品质，重新定义紧凑型功率开关的可能性。

想象一下，在车身控制模块、智能传感器或LED驱动电路中，您需要两个独立的低压侧开关。DMG1026UVQ-7的SOT-563超小型封装，面积比传统SOT-23双器件方案减少高达70%，让您的设计在寸土寸金的电路板上游刃有余。其逻辑电平门控特性（Vgs(th)最大仅1.8V）意味着它能被微控制器GPIO口直接、高效地驱动，无需额外的电平转换电路，这不仅简化了设计，更降低了系统整体BOM成本和功耗。选择我们的DIODES授权代理，您将获得从这颗芯片开始的完整技术支持和正品保障。

它的价值远不止于节省空间。60V的漏源电压和440mA的连续漏极电流能力，使其能够从容应对汽车12V/24V电源环境下的各种负载切换任务，如小型电机、继电器线圈或LED灯串。极低的导通电阻（最大1.8欧姆@10V）确保了在开关过程中极小的功率损耗和温升，这对于追求高效率和长寿命的汽车应用至关重要。高达150°C的结温工作范围和符合AEC-Q101标准的质量认证，更是为您的产品在严苛的汽车环境下稳定运行提供了坚实的背书，从炎热的引擎舱到寒冷的户外，它都能持续可靠地工作。

为何众多工程师在需要双路开关时，会优先考虑DMG1026UVQ-7？因为它提供了一个近乎完美的平衡点：在极致的微型化封装内，集成了两颗性能均衡、驱动简单的MOSFET，同时满足了汽车电子对可靠性、效率和成本控制的严苛要求。它让您的设计从复杂的多器件布局中解放出来，将更多精力投入到核心功能的创新上。无论是用于车窗升降、雨刷控制，还是信息娱乐系统的电源管理，这颗芯片都是您实现更紧凑、更可靠、更具成本优势设计的秘密武器。

• 型号:DMG1026UVQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):440mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.45nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:32pF @ 25V
• 功率 - 最大值:650mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
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还在为电路板空间紧张而烦恼吗？DMG1026UVQ-7为您带来革命性的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，采用超紧凑的SOT-563封装，让您在指甲盖大小的面积内获得两个独立的60V/440mA开关通道，轻松实现高密度布局，为您的汽车电子或便携设备设计释放宝贵空间。

它能让您的系统运行更高效、更简单。凭借逻辑电平门控（Vgs(th)低至1.8V）和低至1.8欧姆的导通电阻，您可以直接用微控制器驱动，大幅降低开关损耗和驱动复杂度。其符合AEC-Q101汽车级标准，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种严苛环境下稳定可靠，让您对产品的耐用性和性能充满信心。