DMP2065UFDB-13

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为空间、功耗和成本而妥协？想象一下，一个微小如米粒的封装内，蕴藏着驱动高效系统的澎湃动力这正是DMP2065UFDB-13为您带来的现实。作为Diodes Incorporated精心打造的双P沟道MOSFET阵列，它不仅仅是一个组件，更是您产品实现性能飞跃与设计精简的密钥。

当您面对便携设备、负载开关或电池保护电路时，这颗芯片的价值将淋漓尽致地展现。其紧凑的UDFN2020-6封装，面积几乎可以忽略不计，却能稳定承载高达4.5A的连续电流，让您的PCB布局从此摆脱臃肿，为更纤薄、更时尚的产品设计腾出宝贵空间。无论是智能手机中需要快速响应的电源路径管理，还是物联网传感器模块里要求长续航的节能开关，DMP2065UFDB-13都能以低至50毫欧的导通电阻，将功率损耗大幅降低，把每一分电能都转化为有效输出。

选择它，就是选择了一份可靠与高效并存的保障。其卓越的栅极电荷特性确保了快速的开关速度，让系统响应更为敏捷；宽广的-55°C至150°C工作结温范围，则意味着它能从容应对从严寒到酷热的严苛环境挑战，保障设备稳定运行。更重要的是，通过与值得信赖的DIODES代理合作，您不仅能获得这颗性能出众的芯片，更能得到从技术选型到供应链支持的全方位服务，让您的创新之路更加顺畅。让DMP2065UFDB-13成为您下一个爆款产品的核心动力，开启高效、紧凑、可靠的电源管理新纪元。

• 型号:DMP2065UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 4.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:752pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 想获取DMP2065UFDB-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找能同时满足高性能与小尺寸的MOSFET解决方案吗？DMP2065UFDB-13正是为您量身打造的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，能在极致紧凑的UDFN2020-6封装内，为您提供高达4.5A的强劲电流处理能力。

它能让您的设计轻松实现高效节能。其低至50毫欧的导通电阻，显著减少了功率损耗和发热，让系统运行更凉爽、续航更持久。同时，优异的开关特性确保了快速响应，无论是用于电源切换还是负载控制，都能让您的产品性能脱颖而出。