DMN33D8LT-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款既能实现精准控制，又能最大限度节省空间与功耗的开关解决方案而烦恼？今天，我们为您带来答案DMN33D8LT-13，这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是您翘首以盼的性能与效率的完美结合体。它不仅仅是一个晶体管，更是您产品实现小型化、智能化和长续航梦想的得力助手。

想象一下，在您精巧的便携式设备、灵敏的传感器模块或是复杂的电池管理系统中，DMN33D8LT-13正以其卓越的性能默默工作。它高达30V的漏源电压和115mA的连续漏极电流，为低压信号切换和负载驱动提供了坚实可靠的保障。而其核心魅力在于极低的驱动需求仅需2.5V至4V的栅极电压即可实现高效导通，这意味着它能够轻松被微控制器等低功耗逻辑电路直接驱动，无需复杂的电平转换电路，让您的设计化繁为简，系统响应更加迅速直接。

选择DMN33D8LT-13，就是选择了一种面向未来的设计哲学。其超低的栅极电荷（仅0.55nC）和输入电容（48pF），显著降低了开关过程中的能量损耗，让每一次状态切换都干净利落，这对于高频开关应用和追求极致能效的产品至关重要。同时，其微小的SOT-523封装，在电路板上几乎不占空间，为您实现高密度布局、打造更轻更薄的产品形态扫清了障碍。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定运行，赋予产品无与伦比的可靠性。当您需要这样一款集高性能、低功耗与小尺寸于一身的解决方案时，通过值得信赖的DIODES代理获取正品，无疑是保障项目顺利推进和产品长期稳定的明智之举。

• 型号:DMN33D8LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):115mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:48 pF @ 5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• 想获取DMN33D8LT-13的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的微型开关选型而犹豫吗？让DMN33D8LT-13来为您轻松解决！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，专为高效、精准的低压信号与负载控制而生。它能让您的微控制器输出信号直接、高效地驱动后续电路，省去中间环节，简化设计并提升系统响应速度。

凭借仅2.5V的低驱动电压和极低的栅极电荷，它让您的设备功耗大幅降低，特别适合电池供电的便携式电子产品。同时，微小的SOT-523封装为您节省宝贵的PCB空间，助力实现更紧凑、更时尚的产品设计。选择它，就是选择了一种更智能、更高效的电路控制方式。