BSS123ATA

在追求极致能效与可靠性的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在高压小信号应用中稳定发挥的开关解决方案而反复权衡？今天，我们为您带来一个清晰而有力的答案BSS123ATA。这款来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，以其100V的漏源电压和170mA的连续漏极电流能力，在紧凑的SOT-23-3封装内，为您的小功率开关与负载管理需求提供了卓越的性能基石。它不仅是一个元件，更是您提升产品可靠性与能效表现的得力助手。

想象一下，在您的电池管理系统、便携式设备电源路径控制，或是工业传感器模块中，BSS123ATA能够轻松胜任。其仅需4.5V的低驱动电压即可开启高效通道，最大导通电阻低至6欧姆，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是处理模拟信号的切换，还是驱动微型继电器、LED阵列，它都能确保快速、干净的开关动作，将功耗控制在毫瓦级别，完美契合现代电子设备对节能与微型化的双重追求。

选择BSS123ATA，就是选择了一份经过市场验证的稳健与高效。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种苛刻环境下依然稳定如初，大幅提升了终端产品的环境适应性与使用寿命。虽然该型号已处于停产状态，但通过可靠的DIODES代理渠道，您依然可以获取高质量的库存，为现有产品设计的维护与升级提供持续保障。让这颗小巧而强大的MOSFET，成为您电路中那个沉默却关键的性能支柱，助您以更低的系统复杂度和更高的可靠性，赢得市场竞争的先机。

• 型号:BSS123ATA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 170mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 想获取BSS123ATA的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计需要精密控制的小功率电路吗？BSS123ATA正是为您而来。这颗N沟道MOSFET能在高达100V的电压下，以170mA的电流为您实现高效、可靠的开关控制。其低至4.5V的驱动门槛和仅6欧姆的导通电阻，让您轻松实现低损耗的能量路径管理，显著提升系统能效。

它采用微型SOT-23-3表面贴装封装，为您节省宝贵的PCB空间，非常适合集成到便携设备、电源模块或传感器接口中。宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了它在各种环境下都能稳定工作，让您的产品设计更具鲁棒性和市场竞争力。