DMN67D8LT-7

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定驱动、同时兼顾出色性能与可靠性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的DMN67D8LT-7，正是为破解这一难题而生。这款来自Diodes Incorporated的先进MOSFET，以其高达60V的BVDSS和41V的稳健工作电压，为您的小型化、高密度设计注入了强大的心脏。它不仅仅是一个元件，更是您产品实现高效能量转换、延长续航、提升整体稳定性的关键引擎。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或是高精密的物联网传感器节点中，空间何其珍贵。而DMN67D8LT-7采用的超小型SOT523封装，正是为征服这些极限空间而量身打造。它能让您的电源管理模块、电机驱动电路或负载开关设计变得更加纤薄轻巧，同时毫不妥协地处理关键的开关任务。无论是需要快速响应的电池保护电路，还是对功耗极其敏感的常开设备，这颗芯片都能以极低的导通损耗和出色的热性能，确保能量流动精准而高效，让您的终端产品在竞争中脱颖而出。

选择DIODES一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到专业的技术支持与快速的物流响应，从而将更多精力聚焦于核心创新。让DMN67D8LT-7成为您下一个爆款产品的幕后功臣，开启高效、可靠、紧凑的电源设计新篇章。

• 型号:DMN67D8LT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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您正在寻找一颗能轻松驾驭紧凑型设备中功率开关任务的“全能选手”吗？DMN67D8LT-7正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET，拥有高达60V的击穿电压（BVDSS），让您在设计电源路径、电机驱动或负载开关时信心十足，轻松应对各种电压波动挑战。

它采用极致的SOT523封装，专为空间受限的便携式设备、物联网模块和可穿戴产品优化。这意味着您可以在不牺牲性能的前提下，实现电路板布局的最大化精简，让您的产品设计更纤薄、更高效。选择它，就是选择了一种可靠、高效的功率管理解决方案，助您加速产品上市进程。