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DSS2515M-7B的图片

DSS2515M-7B

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:DIODES(美台)
功能简述:TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
原厂封装:封装:X1-DFN1006-3
优势价格,DSS2515M-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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DSS2515M-7B的功能参数资料 - DIODES公司(美台)提供

在追求极致小型化的电子设计领域,您是否还在为如何在有限空间内实现稳定可靠的信号放大与开关控制而烦恼?现在,答案就在眼前DSS2515M-7B,这颗来自Diodes Incorporated的微型NPN晶体管,正是为突破空间限制、提升系统性能而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个元件,更是您产品实现紧凑、高效、可靠设计的关键赋能者。

想象一下,在您的手持设备、可穿戴电子产品或超薄型消费电子设备中,DSS2515M-7B正以其微小的DFN1006-3封装(仅1.0 x 0.6 mm)默默工作。它高达250MHz的跃迁频率,确保了高速信号处理时的清晰与精准;15V的集射极击穿电压与500mA的集电极电流能力,为负载开关、电平转换和驱动小型负载提供了坚实的保障。其优异的直流电流增益(最小150 @ 100mA, 2V)和极低的Vce饱和压降(仅250mV),意味着更低的导通损耗和更高的能效,让您的设备在性能与续航之间找到完美平衡。无论是智能手机中的背光驱动、便携式医疗设备的精密传感信号调理,还是物联网传感器节点的低功耗开关,它都能游刃有余,稳定运行于-55°C至150°C的严苛环境。

选择DSS2515M-7B,就是选择了一种面向未来的设计哲学。它代表了在微型化趋势下对性能毫不妥协的追求。其表面贴装形式与超小封装,极大地简化了PCB布局,为您的设计释放出宝贵的空间,让产品外观更纤薄,内部结构更紧凑。这颗“有源”状态的明星产品,以其卓越的可靠性和一致性,能显著降低您的系统复杂性和整体物料成本。当您需要为项目寻找高品质、高性价比的半导体解决方案时,信赖专业的DIODES芯片代理,是确保您能稳定、便捷地获取包括DSS2515M-7B在内的全系列正品芯片,并获得专业技术支持的最佳途径。让DSS2515M-7B成为您下一个创新产品的“核心动力”,开启高效、紧凑设计的新篇章。

  • 型号:DSS2515M-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):15 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):150 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值:250 mW
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:3-UFDFN
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
  • 想获取DSS2515M-7B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能完美融入微型化设计、性能却毫不逊色的信号处理核心吗?DSS2515M-7B正是您期待的答案。这颗来自Diodes的NPN晶体管,集15V耐压、500mA电流能力和250MHz高频率于一身,专为空间受限的高性能应用而生。

它能为您做什么?它能让您轻松实现高效的低压差信号放大与高速开关控制。其卓越的直流增益和极低的饱和压降,意味着更少的能量损耗和更纯净的信号输出,直接提升您终端产品的能效与可靠性。无论是驱动小型电机、LED阵列,还是作为精密模拟电路中的放大单元,它都能稳定胜任,工作温度范围宽达-55°C至150°C,适应各种苛刻环境。

选择它,就是为您的紧凑型设计注入一颗强劲而可靠的“心脏”,让产品在性能、尺寸与成本之间取得最优解。

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