DMT47M2SFVW-7

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个关键功率开关节点，既能承载大电流，又能将导通损耗降至最低，同时保持出色的热性能这正是DMT47M2SFVW-7为您带来的核心价值。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道功率MOSFET，以其仅为7.5毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在20A电流、10V驱动电压下，实现了近乎无损的电流通路，直接将效率提升到一个全新高度，让能量转换过程中的每一分电力都物尽其用。

无论是高密度DC-DC转换器、电机驱动控制，还是需要快速开关的负载开关应用，DMT47M2SFVW-7都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达49.1A（Tc）的连续漏极电流能力，为各类中压、大电流场景提供了坚实的保障。在紧凑的PowerDI3333-8封装内，它集成了卓越的散热性能，最大功率耗散可达27.1W（Tc），确保设备在-55°C至150°C的严苛环境下稳定运行，让您的产品设计在性能与可靠性上再无后顾之忧。选择它，就是为您的电源系统注入一颗强劲而高效的心脏。

当您需要优化BOM成本、提升产品竞争力时，选型理由变得至关重要。除了卓越的电气性能，DMT47M2SFVW-7还具备极低的栅极电荷（仅12.1nC @ 10V）和输入电容，这意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用，能进一步简化驱动电路设计。其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产流程。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗高性能芯片，专业的DIODES芯片代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全链路服务，确保您的创新想法能够快速、可靠地转化为市场领先的产品。立即采用DMT47M2SFVW-7，开启能效新纪元。

• 型号:DMT47M2SFVW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？DMT47M2SFVW-7就是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET凭借其革命性的7.5毫欧超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源管理系统运行得更凉、更高效、更持久。

它能在40V电压下轻松驾驭高达49.1A的连续电流，并结合PowerDI3333-8封装出色的散热能力，确保在高负载下依然稳定可靠。更低的栅极电荷意味着更快的开关响应，让您轻松实现高频高效的设计目标，全面提升终端产品的性能与市场竞争力。