DMN67D8LT-13

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出强劲性能的MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个令人振奋的解决方案DMN67D8LT-13。这款来自Diodes Incorporated的卓越产品，以其高达60V的BVDSS和41V的稳健表现，正重新定义着小尺寸功率器件的性能边界，让您的产品在激烈的市场竞争中率先赢得能效优势。

想象一下，在您的手持设备、便携式医疗仪器或是高密度电源模块中，每一寸空间都弥足珍贵。DMN67D8LT-13采用的超小型SOT523封装，正是为应对这种挑战而生。它不仅能轻松融入最苛刻的布局，更能以其出色的电气特性，确保系统在开关、负载管理等关键环节运行得既安静又高效。无论是需要快速响应的电机驱动，还是对功耗极其敏感的电池管理应用，这颗芯片都能成为您设计中可靠而强大的“心脏”，驱动创新不断向前。

选择DMN67D8LT-13，您选择的不仅仅是一个组件，更是一份对品质和性能的承诺。Diodes Incorporated作为行业领导者，其“有源”的产品状态保证了长期稳定的供应与技术支援。这意味着您的项目可以规避供应链风险，加速从设计到量产的进程。当您需要专业的选型指导与可靠的货源保障时，信赖权威的DIODES芯片代理将是您最明智的决策，他们能为您提供从这颗芯片到完整解决方案的全方位支持。让我们携手，用DMN67D8LT-13将您的前沿构想，转化为触手可及的市场成功。

• 型号:DMN67D8LT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 Tu0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:821 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:260mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
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还在为空间受限的设计寻找一颗既小巧又强大的功率开关吗？DMN67D8LT-13正是您的理想之选！这颗采用SOT523封装的MOSFET，拥有高达60V的击穿电压，让您能在紧凑的电路板上轻松实现高效、可靠的电源切换与负载控制。

它专为追求高密度与高性能的应用而优化，无论是便携设备中的电池保护电路，还是需要快速响应的DC-DC转换器，DMN67D8LT-13都能以卓越的电气性能，确保您的系统运行更稳定、能效更出色。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的“芯”动力。