DMN61D8L-7

想象一下，当您的便携式设备需要更长的续航，或者您的电源管理方案渴望更高的效率时，您是否在寻找一颗能在微小空间内稳定掌控60V电压的“能量开关”？这正是DMN61D8L-7的用武之地。作为Diodes Incorporated精心打造的一款N沟道MOSFET，它不仅仅是一个晶体管，更是您提升产品性能、优化设计布局的秘密武器。其高达60V的漏源电压和470mA的连续漏极电流，为各种紧凑型电子设备提供了坚实可靠的开关与驱动核心，让能量流动尽在掌控。

这颗芯片的身影，活跃在众多前沿应用场景之中。无论是需要高效DC-DC转换的便携式消费电子产品、对空间极其敏感的物联网传感器模块，还是要求精密控制的电池管理系统，DMN61D8L-7都能游刃有余。它那仅1.8欧姆的低导通电阻（在5V驱动下），意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接转化为更长的设备运行时间与更佳的用户体验。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了从严寒到酷热的各种极端环境下，您的产品都能一如既往地可靠运行。

选择DMN61D8L-7，就是选择了一种高效与可靠的设计哲学。其紧凑的SOT-23封装完美契合了当今电子产品小型化的趋势，让您的PCB布局更加灵活，为产品增添更多功能或缩小体积留出宝贵空间。极低的栅极电荷和输入电容，使得开关速度更快，驱动电路设计更简单，系统整体响应更加敏捷。当您致力于打造更具市场竞争力的产品时，与可靠的DIODES授权代理合作，确保获得原装正品和全面的技术支持，是项目成功的重要一环。让DMN61D8L-7成为您下一个创新设计的核心动力，它将以其卓越的性能和稳定性，助您轻松应对设计挑战，赢得市场先机。

• 型号:DMN61D8L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):470mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 150mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12.9 pF @ 12 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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还在为寻找一颗体积小巧、性能强劲的功率开关而烦恼吗？DMN61D8L-7正是为您解忧的答案。这颗N沟道MOSFET能轻松胜任60V电压下的开关任务，470mA的连续电流驱动能力让它在便携设备电源管理、电机驱动等场景中表现出色。

它采用先进的MOSFET技术，在仅5V的低驱动电压下即可实现低至1.8欧姆的导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。超低的栅极电荷和输入电容，意味着更快的开关速度和更简单的驱动设计，助您轻松优化整体电路性能。

无论是追求极致能效，还是需要在高低温恶劣环境下稳定工作，DMN61D8L-7凭借其SOT-23微型封装和宽广的工作温度范围，都能成为您可靠而高效的选择，让您的产品设计如虎添翼。