DMN31D5UFZ-7B

在追求极致能效与紧凑设计的电子世界里，您是否还在为寻找一颗能在低压、小电流应用中稳定可靠，同时又能大幅节省PCB空间的MOSFET而烦恼？现在，答案已经揭晓。让我们隆重介绍DMN31D5UFZ-7B，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为满足现代便携式与微型化设备的严苛需求而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品性能、优化空间布局的得力助手。

想象一下，在您的智能手表、蓝牙耳机、便携式医疗传感器或IoT模块中，需要一颗元件来高效、精准地控制电源或信号通路。DMN31D5UFZ-7B凭借其30V的漏源电压和220mA的连续漏极电流能力，完美适配这些低压电池供电场景。其超低的1.2V驱动电压门槛，意味着即使在电池电量稍显不足时，它也能被轻松、可靠地开启，确保设备功能始终如一。更令人惊喜的是，它在4.5V驱动下仅1.5欧姆的导通电阻，能有效减少开关过程中的功率损耗，直接转化为更长的设备续航时间，让您的终端用户享受更持久的体验。

选择DMN31D5UFZ-7B，就是选择了一种面向未来的设计思路。它采用先进的X2-DFN0606-3超小型封装，占地面积微乎其微，为您的PCB释放出宝贵的“黄金空间”，让您能集成更多功能或进一步缩小产品尺寸。其极低的栅极电荷（仅0.35nC）和输入电容（22.2pF），带来了迅捷的开关速度和极低的驱动损耗，这对于高频开关应用或需要快速响应的电路至关重要。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，则赋予了它应对各种环境挑战的坚韧品质，从炎炎夏日到寒冷冬季，都能稳定运行。如果您正在寻找可靠、高效的元器件解决方案，不妨联系专业的DIODES中国代理，获取详尽的技术支持与供应链保障，让这颗小巧而强大的芯片为您的创新产品注入核心动力。

• 型号:DMN31D5UFZ-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0606-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:22.2 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:393mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0606-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的开关核心吗？DMN31D5UFZ-7B正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET专为低压便携设备优化，它能以低至1.2V的电压被轻松驱动，在4.5V下实现仅1.5欧姆的低导通电阻，让您高效管理高达220mA的电流，显著降低功率损耗，直接延长电池寿命。

它采用超微型的X2-DFN0606-3封装，几乎不占用宝贵的PCB面积，让您的设计更加紧凑灵活。同时，其快速的开关特性和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种严苛环境下都能稳定发挥，是提升您产品可靠性与能效表现的秘密武器。