ZXMN10A25GTA

当您的下一个设计项目需要兼顾高效能与紧凑空间时，您是否曾为寻找一颗可靠的功率开关核心而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出ZXMN10A25GTA，这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，正是为突破效率瓶颈、简化设计复杂度而生。它不仅仅是一个组件，更是您产品实现卓越性能、提升市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动控制或是高效的DC-DC转换器中，ZXMN10A25GTA正以其100V的耐压能力和2.9A的连续电流处理能力，稳定可靠地工作着。其低至125毫欧的导通电阻，意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统整体效率和更长的电池续航。无论是消费电子、工业自动化还是汽车辅助系统，这颗芯片都能轻松融入，成为驱动创新的 silent hero。

选择ZXMN10A25GTA，就是选择了一份从容与保障。它采用成熟的SOT-223封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，让您的布局更加灵活优雅。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下依然稳定如一。更重要的是，当您通过值得信赖的DIODES代理进行采购时，您获得的不仅是这颗高品质的芯片，还有完整的技术支持、稳定的供货链和可靠的质量保证，让您的产品从研发到量产全程无忧。立即将ZXMN10A25GTA纳入您的物料清单，开启高效、紧凑、可靠的新一代设计之旅。

• 型号:ZXMN10A25GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:859 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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还在为功率转换效率不高而头疼？ZXMN10A25GTA正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和2.9A的持续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅125毫欧@10V），能显著降低开关损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的散热特性确保了在高功率下的稳定运行。无论是快速切换的负载开关还是高效的DC-DC转换，它都能让您轻松应对，大幅提升终端产品的性能和可靠性。